| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR HIGH BLOCKING VOLTAGES DURING A SIMULTANEOUSLY LOW CLOSING RESISTANCE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, bei dem in ein die Raumladungszone aufnehmendes Halbleitergebiet (3) des einen Leitungstyps Halbleiterbereiche (4) des anderen Leitungstyps eingelagert sind, die zur Beschleunigung des Schaltvorganges über fadenförmige Halbleiterzonen (9, 15, 18) des anderen Leitungstyps mit der Sourceelektrode verbunden sind.
|
| 申请公布号 |
WO0118869(A2) |
申请公布日期 |
2001.03.15 |
| 申请号 |
WO2000EP08706 |
申请日期 |
2000.09.06 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;TIHANYI, JENOE;OPPERMANN, KLAUS-GUENTER |
发明人 |
TIHANYI, JENOE;OPPERMANN, KLAUS-GUENTER |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
