发明名称 A method for manufacturing a semiconductor device
摘要 <p>본 발명은, 실질적으로 단결정으로 간주될 수 있는 반도체박막과, 그러한 반도체박막에 의해 형성된 활성층을 가지는 반도체장치의 제작방법에 관한 것이다. 비정질 규소막의 하면에 접하여 있는 절연막상에 오목 또는 볼록 패턴이 의도적으로 형성되어, 결정화를 조장하는 금속원소가 편석될 수 있는 장소를 형성한다. 따라서, 오목 또는 볼록 패턴이 위치된 부분에 결정핵이 선택적으로 형성되어, 결정 직경을 제어할 수 있다. 그리하여, 결정성 규소막이 얻어진다. 그 결정성 규소막의 결정성은 레이저광 또는 레이저광의 것과 동등한 에너지를 가지는 강한 광의 조사에 의해 개선되어, 결정입계가 실질적으로 존재하지 않는 모노도메인 영역이 형성된다.</p>
申请公布号 KR100285865(B1) 申请公布日期 2001.03.15
申请号 KR19990007485 申请日期 1999.03.08
申请人 null, null 发明人 야마자끼순페이;미야나가아키하루;고야마준;후쿠나가타케시
分类号 H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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