| 摘要 |
<p>Anschlußgebiete von Source/Drain-Gebieten des MOS-Transistors sind in Form von leitenden Strukturen (L) über dem Substrat (1) angeordnet, durch Trennschichten (T) vom Substrat (1) getrennt und weisen einen größeren horizontalen Querschnitt auf als im Substrat (1) angeordnete dotierte Gebiete (G) der Source/Drain-Gebiete.</p> |
