| 主权项 |
1.一种制造半导体装置之方法,含有步骤: 在一基板上形成许多闸极结构; 在该闸极结构和基板上形成一绝缘层;及 蚀刻该绝缘层以在该闸极结构侧壁上形成闸极间 隔物,其中该等闸极间隔物因使用两种具有不同压 力和气流范围的蚀刻方法而具有倾斜的顶角。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该两种不同的 蚀刻方法(recipes)系提供一以氟为基底的蚀刻气体 来作为主要蚀刻气体,并使用氧气(O2)和氩气(Ar)来 作为辅助蚀刻气体。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中形成闸极间隔 物的步骤包含步骤: 藉由实施造成闸极间隔物顶角倾斜的第一蚀刻方 法来蚀刻部分该绝缘层;及 藉由实施第二蚀刻方法,对得到的绝缘层执行主要 蚀刻步骤直到该基板表面露出为止。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中第一蚀刻方法 所提供之压力及气流总量系高于第二蚀刻方法所 提供的。 5.如申请专利范围第3项之方法,其中第一蚀刻方法 系提供范围约200mtorr至约300mtorr的压力和范围约200 sccm至约300sccm的气流总量,并以使用一以氟为基底 的气体当作主要蚀刻气体,并使用氧气和氩气当作 辅助蚀刻气体。 6.如申请专利范围第3项之方法,其中第二蚀刻方法 系提供范围约50mtorr至约100mtorr的压力和范围约50 sccm至约100sccm的气流总量,并以使用一以氟为基底 的气体当作主要蚀刻气体,并使用氧气和氩气当作 辅助蚀刻气体。 7.一种制造半导体装置之方法,含有步骤: 在一基板上形成许多闸极结构; 在该闸极结构和基板上相继形成一第一氧化物层 、一氮化物层以及一第二氧化物层; 藉由实施第一蚀刻方法来蚀刻部分该第二氧化物 层;及 藉由实施第二蚀刻方法来蚀刻该第二氧化物层的 剩余部分和该氮化物层以及该第一氧化物层直到 基板表面露出为止;因此可获得其有倾斜顶角的闸 极间隔物。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一蚀刻方 法和该第二蚀刻方法系提供一以氟为基底的气体 作为主要蚀刻气体,以及氧气和氩气当作辅助蚀刻 气体。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一蚀刻方 法系提供高于第二蚀刻方法所提供之压力和气流 总量。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一蚀刻 方法系提供范围约200mtorr至约300mtorr的压力和范围 约200sccm至约300sccm的气流总量,并以使用一以氟为 基底的气体作为主要蚀刻气体,并使用氧气和氩气 作为辅助蚀刻气体。 11.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二蚀刻 方法系提供范围约50mtorr至约100mtorr的压力和范围 约50sccm至约100sccm的气流总量,并以使用一以氟为 基底的气体作为主要蚀刻气体,并使用氧气和氩气 作为辅助蚀刻气体。 12.如申请专利范围第7项之方法,其中该第一氧化 物层为一缓冲氧化物层,并具有范围自约100到约 200的厚度。 13.如申请专利范围第7项之方法,其中该氮化物层 具有范围自约100到约200的厚度。 14.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二氧化 物层具有范围自约500到约700的厚度。 15.如申请专利范围第7项之方法,其中在实施第一 蚀刻方法以蚀刻部分该第二氧化物层的步骤中,系 蚀刻第二氧化物层直到该第二氧化物层的剩余厚 度范围为约200到约300。 图式简单说明: 第1A图至第1B图为说明制造习知半导体装置之力法 的积截面图; 第2A图到第2D图为说明根据本发明之一制造半导体 装置之方法的横截面图。 |
