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发明名称
SELF-ALIGNED POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR IN SILICON CARBIDE
摘要
申请公布号
KR20010020583(A)
申请公布日期
2001.03.15
申请号
KR1019997012539
申请日期
1999.12.30
申请人
发明人
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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