绝缘层上有硅的动态随机存取存储器及其制作方法

摘要

一种动态随机存取存储器绝缘层上有硅的结构和制作方法包括：一氧化锂层上覆盖有硅表层且在硅基底之上；多个场氧化区域，形成并延伸过该基底的硅表层，且与该硅氧化埋层接触；多个栅极氧化层、多个栅电极和多个源／漏极区；一沟槽，开放并穿过转换场效应晶体管的源／漏极区间；沉积一多晶硅层以排列沟槽，并对该多晶硅层构图以形成至少部分存储电容器的下电极；多个下电容电极，覆盖着一薄介电层；一掺杂多晶硅的上电容电极。$＃!

主权项

1、一种绝缘层上有硅的动态随机存取存储器，该存储器包括：(a)一基底，具有硅表层，并覆盖着硅氧化埋层；(b)一场绝缘区域，形成于该基底的表面，延伸过该基底的硅表层，并与该硅氧化埋层接触，限定出该硅表层上的有源器件区；(c)一第一和第二源/漏极区，形成于该有源器件区之中，为该硅表层上的通道区：(d)一栅极氧化层，形成在该通道区上；(e)一栅极电极，在栅极氧化层上；(f)一沟槽，穿过该第一和第二源/漏极区，通过硅表层且进入硅氧化埋层中：(g)一下电容电极，延伸至该沟槽；(h)一介电层，在该下电容电极上；以及(i)一上电容电极。