发明名称 | 具有空气绝热细胞之可程式电阻材料记忆阵列 | ||
摘要 | 本发明提供一记忆体元件。此元件包含第一元素其为第一电极部分(通常为平面),并具有一内接触表面。此外,另有一覆盖层,与第一电极部分之间具有空隙,以及一相变化元素,其接触表面与第一电极接触表面及覆盖层相接触,而该相变化元素之侧向尺寸大小,小于第一与第二电极部分。尚有第二电极部分延伸穿越覆盖层,以与相变化元素产生接触,以及介电材料所构成之侧壁,延伸穿越第一电极部分与覆盖层;如此,相变化元素、第一电极之接触表面、以及侧壁,即可界定出与相变化元素相邻之一绝热细胞。 | ||
申请公布号 | TW200733353 | 申请公布日期 | 2007.09.01 |
申请号 | TW095143093 | 申请日期 | 2006.11.21 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;何家骅;谢光宇 |
分类号 | H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |