相变记忆体元件以及其形成方法

摘要

本发明提供一种相变随机存取记忆体元件及其形成方法。在多种实施例中，上述相变随机存取记忆体元件包括形成在一个半导体基底上的一层下绝缘层、形成在下绝缘层上的一个相变材料图案与一个和相变材料图案接触之加热电极。而上述加热电极可由具有一正温度系数的材料形成，以使此种材料的电阻率以温度为函数增加。