| 摘要 |
本发明提供了有助于形成其中包含具有一或多个注入式双层电极(100, 202, 308)的记忆体单元(300, 500, 600)的半导体记忆体装置之系统及方法。记忆体阵列通常包含一些位元单元，该等位元单元具有两个分离的组件，亦即，记忆体元件和例如二极体之选择元件。本发明藉由形成具有其中包含双层电极(100, 202, 308)的选择二极体之记忆体单元(300, 500, 600)，而提高了记忆体装置的效率。提供了包含双层阴极(508)及(或)双层阳极(608)之记忆体单元(300, 500, 600)，该等双层阴极及(或)双层阳极有助于将电荷注入到记忆体单元(300, 500, 600)的二极体层(204, 306, 406, 506, 606)之显着改善。被选择的记忆体单元(300, 500, 600)的二极体层(204, 306, 406, 506, 606)中之增加的电荷(例如，电子或电洞)密度导致改善的记忆体单元开关时间(switching time)，并降低使记忆体单元(300, 500, 600)操作所需的电压，因而产生了一种更有效率的记忆体单元(300, 500, 600)。 |
