| 主权项 |
1.一种减少锡晶须形成的方法,包括于电镀液内添 加含量为0.05至5克/升的一种或多种选自下列各者 之加强晶面方向的化合物:醯亚胺、亚胺、醯胺、 多元醯胺(polyamide)、胺、多元胺(polyamine)、多元羧 酸盐(polycarboxylate)、多元醇、硫醇、硫、胺基 唑及磺醯胺,以及于基材上电镀锡或锡合金层, 其中,该锡或锡合金层实质上不包含和其相邻晶面 或其等效晶面所形成的角度为5至22之晶面或其 等效晶面。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,和相邻晶面 或其等效晶面形成5至22角度的各晶面及其等效 晶面之强度在X-射线绕射光谱中系低于或等于全 部观察谱峰之总谱峰强度的10%。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中,在X-射线绕射 光谱中该强度为低于或等于全部观察谱峰之总谱 峰强度的5%。 4.一种经减少晶须形成的锡或锡合金层,其中,该锡 或锡合金层实质上不包含和其相邻晶面或其等效 晶面所形成的角度为5至22之晶面或其等效晶面 。 5.如申请专利范围第4项之锡或锡合金层,其中,和 相邻晶面或其等效晶面形成5至22角度的各晶面 及其等效晶面之强度在X-射线绕射光谱中系低于 或等于全部观察谱峰之总谱峰强度的10%。 6.如申请专利范围第5项之锡或锡合金层,其中,在X- 射线绕射光谱中该强度为低于或等于全部观察谱 峰之总谱峰强度的5%。 7.一种包括锡或锡合金层的电子装置,其中,该锡或 锡合金层实质上不包含和其相邻晶面或其等效晶 面所形成的角度为5至22之晶面或其等效晶面。 8.如申请专利范围第7项之电子装置,其中,和相邻 晶面或其等效晶面形成5至22角度的各晶面及其 等效晶面之强度在X-射线绕射光谱中系低于或等 于全部观察谱峰之总谱峰强度的10%。 9.如申请专利范围第8项之电子装置,其中,在X-射线 绕射光谱中该强度为低于或等于全部观察谱峰之 总谱峰强度的5%。 图式简单说明: 第1图为介于两个不同晶面间之最小可能角度的列 表。 第2图为锡层内全部可能晶面的关系图;以及 第3图为在20至100之2角内从X-射线绕射(X-ray diffraction)之可观察晶面方向的关系图。 |
