发明名称 用于测试半导体元件之探测卡以及半导体元件测试方法
摘要 本发明关于探测卡与半导体元件的测试方法,以便在复数个晶片与CSP(晶片尺寸封装体)被形成之晶圆条件下对于各个晶片进行测试。探测卡之特征在于:包括一可挠性接触板;复数个被设置在接触板上的预定布局中之接触电极群组;被设置在接触电极群组之间的接触板上之刚性基底,以一个具有暴露有接触电极被形成之区域的接触板之孔隙;以及被设置在接触板上并被连接至接触电极上之配线。探测卡之优点在于其在晶圆条件中测试晶片与CSP之际,总是可以得到各晶片与CSP之电极垫的优良接触状态。
申请公布号 TW425649 申请公布日期 2001.03.11
申请号 TW088117966 申请日期 1999.10.18
申请人 富士通股份有限公司 发明人 丸山茂幸
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种用于测试半导体元件之探测卡,该半导体元件系为复数并位在晶圆上,该探测卡系包含:一具有可挠性的接触板;复数个接触电极群组,其系被设置在该接触板上;一刚性基底,其系具有多个暴露在该接触板上之该等接触电极群组的孔隙;以及一连接至一预定接触电极上之配线。2.如申请专利范围第1项之探测卡,其中该刚性基底的膨胀系数与矽相同,或是比该接触板更接近于矽。3.如申请专利范围第1项之探测卡,其中该接触板被由聚醯亚胺或橡胶薄片所制成。4.如申请专利范围第1项之探测卡,其中该配线被引导至该接触板之一周边部分上,并被连接至一比该配线更宽的外部连接端子上。5.如申请专利范围第1项之探测卡,其中一突块电极在该接触板上被设置。6.如申请专利范围第1项之探测卡,其中该刚性基底被设置在一个具有该等接触电极之该接触板相同的侧边上。7.如申请专利范围第1项之探测卡,其中该刚性基底藉由单一层或多层被形成,其系具有一被连接至该刚性基底下部表面上之该配线上的第一电极,以及一个被连接至在刚性基底上部表面上之该第一电极的第二电极。8.如申请专利范围第7项之探测卡,其中该刚性基底被由一印刷电路板或矽晶圆制成。9.如申请专利范围第7项之探测卡,其中一过度电流限制构件或测试电路晶片在该刚性基底之该上部表面上被设置,并被连接至该第二电极上。10.一种用以测试半导体元件之探测卡,该半导体元件系为复数并位于晶圆上,该探测卡系包含:一接触板,其系具有一个与该半导体元件相符的尺寸并具有可挠性;复数个接触电极群组,其系被设置在该接触板上;一刚性基底,其系具有多个暴露在该接触板上之该等接触电极群组之孔隙;以及一连接一预定接触电极之配线。11.一种复数个半导体元件之测试方法,该等半导体元件系位在一晶圆上,该方法系包含下列步骤:制备一包括一具有可挠性之接触板、复数个被设置在该接触板上之接触电极群组、一具有暴露该接触板上之该等接触电极群组之孔隙的刚性基底、以及一连接至一预定接触电极之配线的探测卡;藉由将该接触电极黏附至该晶圆上之方式,而使该接触电极与该半导体元件上之一电极接触;以及经由该配线测试该半导体元件。12.如申请专利范围第11项之复数个半导体元件之测试方法,其中当该接触电极与在该半导体元件上的该电极被接触时,该接触电极与该晶圆被负压黏附。13.如申请专利范围第11项之复数个半导体元件之测试方法,其中该刚性基底之热膨胀系数与矽相同,或是比该接触板更接近于矽。14.如申请专利范围第11项之复数个半导体元件之测试方法,其系进一步包含下列步骤:藉由一第一构件固定该刚性基底,藉由一第二构件固定该晶圆,接着并在该第一与该第二构件之间固定该接触板;将一被设置在该接触板之一周边部分上的外部连接端子表面安装至一测试板上。15.如申请专利范围第11项之复数个半导体元件之测试方法,其中该接触板之尺寸与该半导体元件之尺寸相符。16.如申请专利范围第11项之复数个半导体元件之测试方法,其中一突块电极在该半导体元件上被设置,该突块电极的至少一侧边表面被树脂密封,其系进一步包含下列步骤:测试设置有具有该突块电极之该半导体元件之该晶圆。17.一种用于测试半导体元件之探测卡,该半导体元件系为复数并位在一晶圆上,该探测卡系包含:一可挠性的接触板;复数个被设置在该接触板上之接触电极;至少一个被设置在该接触板上之至少一侧边上之刚性基体,该至少一刚性基底系对应于该等接触电极之位置而具有多个孔隙;以及将该等接触电极连接至个别的外部接触端子之配线。图式简单说明:第一图为显示作为测试目物之CSP的结构图;第二图为显示用以说明在晶圆条件下作为测试目物之CSP的横截面图;第三图系为显示在晶圆条件下作为测试目物之CSP的平面图;第四图例示当参考资料HEI 7-263504之方法被应用至在晶圆条件下的测试上时之问题;第五图为显示本发明第一实施例之解体透视图;第六图(a)-第六图(b)为显示本发明之探测卡的侧视与平面图;第七图为显示接触板与晶圆呈接触状态之状况的横截面图;第八图为例示本发明第一实施例之作用图;第九图为例示本发明第一实施例之作用图;第十图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十一图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十二图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十三图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十四图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十五图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十六图为例示本发明第一实施例之修正例子图;第十七图为用以说明本发明之刚性基底、接触板及晶圆固定方法图;第十八图为例示第十七图的横截面图;第十九图为例示接触板在一测试板表面上被安装之状态图;第二十图为例示第十九图的横截面图;第二十一图为例示本发明第二实施例之图;第二十二图为例示本发明第二实施例之图;第二十三图为例示本发明第三实施例之图;第二十四图为例示第二十三图的横截面图;第二十五图为例示本发明第三实施例之修正例子之图;第二十六图为例示本发明第四实施例之图;第二十七图为例示本发明第四实施例之修正例子之图;第二十八图为例示一用以定位本发明之探测卡与接触板之机构图;第二十九图为显示第二十八图之实质部分之放大横截面图。
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