| 主权项 |
1.一种表面处理方法,其特征在于:该方法系包含有下列步骤:一除净步骤,系用ClF3气体以除净被处理体之表面者;及一除氯步骤,系用以于被处理体之表面除净源自前述除净步骤所残留在该表面之ClF3之氯者。2.如申请专利范围第1项之表面处理方法,其特征在于:其中该除氯步骤系包含有一用以还原气体将前述氯由前述被处理体之表面除净之步骤。3.如申请专利范围第2项之表面处理方法,其特征在于:其中该还原气体系H2气体。4.一种表面处理方法,其特征在于:该方法系包含有下列步骤:一吸着步骤,其系用以对前述被处理体之表面供给ClF3气体,使于前述被处理体之表面吸着有ClF3气体者;一停止步骤,其系用以停止前述ClF3气体朝前述被处理体表面之供给;及一除净步骤,其系用以前述被处理体表面所吸着之ClF3气体将前述被处理体之表面除净者。5.如申请专利范围第4项之表面处理方法,其特征在于:其系于前述吸着步骤中,系使前述被处理体冷却至20℃以下者。6.一种表面处理装置,其特征在于包含有:一用以于内部配置被处理体之处理容器;一用以朝前述处理容器内供给ClF3气体之构件;一用以使前述供给之ClF3气体活性化之构件;及一用以朝前述处理容器内供给还原气体之构件。7.一种表面处理装置,其特征在于包含有:一用以于内部配置被处理体之处理容器;一用以朝前述处理容器内供给ClF3气体之构件;一用以促进ClF3气体被前述被处理体吸着之构件;及一用以使前述供给之ClF3气体活性化之构件。8.如申请专利范围第7项之表面处理装置,其特征在于:其系包含有一载置台,其系设置于前述处理容器内且用以载置前述被处理体者。9.如申请专利范围第8项之表面处理装置,其特征在于:前述该用以促进ClF3气体被前述被处理体吸着之构件系设于前述载置台内,且系一用以冷却该载置台上所载置之前述被处理体之构件。10.如申请专利范围第9项之表面处理装置,其特征在于:其中该用以将ClF3气体活性化之构件系用以于距离前述载置台之被处理体载置部一定间隔之加热位置,而将前述被处理体加热者。11.如申请专利范围第10项之表面处理装置,其特征在于:其系包含有一用以使被处理体在前述被处理体载置部与前述加热位置间升降之构件。12.一种集合装置,其特征在于包含有:申请专利范围第6项至第11项中任一项之表面处理装置;搬送室,系可将内部维持在非反应性环境下,且设置于与前述表面处理装置间,而可用以于该非反应性环境中搬送被处理体者;及1个或多个另一处理装置,系设于与前述搬送室间,而可用以于非反应性环境下搬送被处理体。13.如申请专利范围第12项之集合装置,其特征在于:其中该另一处理装置系一用以于被处理体上形成金属配线之金属配线形成室。图式简单说明:第一图系本发明之表面处理装置之一实施形态之模式构成图。第二图A及第二图B系用以显示第一图之表面处理装置之晶圆昇降机构,前者系其平面图,而后者系其侧面图。第三图A及第三图B系显示用以于第一图之表面处理装置之ClF3气体供给部(莲蓬头)之变形例,由晶圆载置台侧观察时之状态,前者系显示环状莲蓬头,又后者系显示格子状莲蓬头之平面图。第四图系用以显示本发明之表面处理方法之一实施形态之各步骤之流程图。第五图系用以显示本发明之表面处理方法之一实施形态之步骤,第五图A系自然氧化物附着于晶圆之附着状态之扩大图,第五图B系ClF3气体在晶圆上吸着之状态之扩大图,第五图C系藉以电浆活性化之还原气体(H2气体)以去除残留之氯之状态之扩大模式图。第六图系显示晶圆载置台之另一例,第六图A系其平面图,第六图B系其正截面图。第七图系显示将第一图之本发明之一实施形态之表面处理装置作为真空除净装置加上加热装置、配线形成装置及冷却装置之组合而构成之真空集合装置之概念图。第八图系用以说明习知用以除去自然氧化膜之表面处理方法者,第八图A系用以显示在晶圆之接触通道底部所生成之自然氧化膜之附着状态之扩大图,第八图B系显示在接触通道之侧壁形成有凹凸等状态之扩大模式图。 |
