发明名称 半导体唯读记忆体
摘要 一记忆体包括具有复数个记忆胞及字元线之复数个记忆区块,每一记忆区块具有选择导线藉以选择记忆区块,一在字元线驱动讯号与字元线间连接的字元线驱动电路,一连接选择导线的区块选择电路,以及一提供选择控制讯号至字元线驱动电路和区块选择电路之选择控制电路,选择控制电路产生选择控制讯号以回应位址告知讯号。选择导线被分成复数个集团,每一组被相邻的记忆区块共享,以及选择导线连接至选择导线中下拉未选择导线电压准位之放电电路。
申请公布号 TW425694 申请公布日期 2001.03.11
申请号 TW088110187 申请日期 1999.06.17
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 徐用锡;崔秉淳
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种记忆体包括:复数个记忆区块,其中,该些记忆区块具有复数个以矩阵方式排列的记忆胞,该些记忆胞连接至复数个字元线;复数个选择导线,其中,该些选择导线布置在该些记忆区块间,该些选择导线被分成复数个集团,每个集团被该些记忆区块的相邻记忆区块所共享;以及一机制,其中,该机制用以选择该些集团之一对应集团以回应选择控制讯号,其中,该些选择导线连接至下拉该些选择导线中未被选择导线之电压准位的放电电路上。2.一种记忆体包括:复数个记忆区块,其中,该些记忆区块具有复数个记忆胞及字元线,每一记忆区块具有选择导线,藉该选择导线该些记忆区块被选择;一字元线驱动电路,其中,该字元线驱动电路连接在字元线驱动讯号与字元线间;一区块选择电路,其中,该区块选择电路连接至选择导线;以及一选择控制电路,其中,该选择控制电路提供选择控制讯号至该字元线驱动电路及该区块选择电路,该选择控制电路产生选择控制讯号以回应位址告知讯号,其中,该选择导线被分成复数个集团,每个集团被相邻记忆区块所共享,而且该选择导线连接至下拉该些选择导线中未被选择导线之电压准位的放电电路上。3.一种具有复数个以矩阵方式排列的记忆胞及字元线的记忆体包括:复数个记忆区块,其中,该些记忆区块包括该些记忆胞,每一记忆区块包括被相邻记忆区块所共享的选择导线;复数个解码单元,其中,该些解码单元分配到该些记忆区块,每一解码单元包括产生选择控制讯号以回应位址告知讯号之一选择控制电路;一字元线驱动电路,其中,该字元线驱动电路连接字元线驱动讯号至该字元线以回应选择控制讯号;以及一区块选择电路,其中,该区块选择电路选择选择导线之一对应选择导线以回应选择控制讯号,其中,该选择导线连接至下拉该些选择导线中未被选择导线之电压准位的放电电路上。图式简单说明:第一图系根据本发明一唯读记忆体的功能性区块简图;第二图系一本发明记忆区块的电路简图;第三图A及第三图B系显示用以对区块选择相关讯号产生开关控制讯号之电路;第四图A及第四图B系字元线驱动电路的电路简图;第五图A及第五图B系区块选择电路的电路简图;第五图B系图示说明显示在第五图A中支架接上硬碟机的透视图;第六图系根据本发明的一实施例说明一区块选择技术方式的简图。在图中,相同的标记意即相同或对应的部份。
地址 韩国