| 主权项 |
1.一种电荷帮浦电路,包括:一恒定电流源,用以产生并输出一具有恒定电流値的电流;一开关装置,当输入信号为一主动信号时,比开关接通并输出由该恒定电流源所决定之一电流;一第一MOS电晶体,用来使电流从该开关装置输出;一第二MOS电晶体,与该第一MOS电晶体共同构成一电流镜像电路,第二MOS电晶体并输出一电流作为充电电流或放电电流两者之一,其电流値乃取决于流经第一电晶体的电流;及一断开装置,当输入信号不作用时,藉由对该第二MOS电晶体之闸极施以充电或放电,而使第二MOS电晶体断路。2.如专利申请范围第1项之电路,其中该断开装置包含;一恒定电流元件,用以产生一具有恒定电流値的电流,其电流値乃依据来自该恒定电流源之电流値;及一开关元件,当输入信号不作用时,此开关接通并将该恒定电流元件所产生之电流输出至该第二MOS电晶体之闸极。3.如专利申请范围第2项之电路,其中该恒定电流元件及该开关元件分别由第三及第四MOS电晶体所构成。4.如专利申请范围第1项之电路,其中该断开装置包括:一开关元件,当输入信号成为一主动信号时,此开关元件接通并输出一电流至该第二MOS电晶体之闸极。5.如专利申请范围第4项之电路,其中该开关元件乃由第三MOS电晶体所构成。6.如专利申请范围第1项之电路,其中该开关装置包括:一第三MOS电晶体,用以产生一具有恒定电流値的电流,其电流値乃依据来自该恒定电流源之电流値;一第四MOS电晶体,当一相位错误信号不作用时,此电晶体接通并将由该第三电晶体所产生之电流输出至该第一MOS电晶体及该断开装置。7.如专利申请范围第6项之电路,其中该第一及第二MOS电晶体的闸极互相连接;该断开装置乃连接于该第一MOS电晶体之闸极及一电源供应器之间;该第四MOS电晶体的汲极乃连接至该第一MOS电晶体的汲极与闸极。8.一种频率合成器,包括:一相位比较器,用以侦测一比较信号及一参考信号间之相位差;当比较信号之相位较参考信号之相位延迟时,输出一相位误差/上信号,当比较信号之相位超前于参考信号之相位时,就输出一相位误差/下的信号;一电荷帮浦电路,依据来自于该相位比较器之相位误差/上信号和相位误差/下信号,输出充电及放电电流;一回路滤波器,根据来自于该电荷帮浦电路的充电、放电电流书出,而产生一控制电压;一电压控制振荡器,输出一信号作为一振荡输出信号,该信号之频率系由来自于该回路滤波器之控制电压所控制;一分频器,将来自该电压控制振荡器之振荡输出信号的频率予以分频,并将如此而获得之一比较信号输出至该电荷帮浦电路;该电荷帮浦电路,包括:一恒定电流源,用以产生并输出一具有恒定电流値的电流;一开关装置,当相位误差/上信号和相位误差/下信号为主动信号时,此开关装置接通并输出由该恒定电流源所决定之一电流,一第一MOS电晶体,用来使电流流过该开关装置;一第二MOS电晶体,与该第一MOS电晶体共同构成一电流镜像电路,第二MOS电晶体并输出一电流作为充电电流或放电电流两者之一,其电流値乃取决于流经第一电晶体的电流;及一断开装置,当相位误差/上信号和相位误差/下信号不作用时,藉由对该第二MOS电晶体之闸极施以充电或放电,而使第二MOS电晶体断路。9.如专利申请范围第8项之合成器,其中该断开装置包括:一恒定电流元件,用以产生一具有恒定电流値的电流,其电流値乃依据来自该恒定电流源之电流値;及一开关元件,当相位误差/上信号和相位误差/下信号不作用时,此开关接通并将该恒定电流元件所产生之电流输出至该第二MOS电晶体之闸极。10.如专利申请范围第8项之合成器,其中该断开装置包括:一开关元件,当相位误差/上信号和相位误差/下信号不作用时,此开关元件接通并输出一电流至该第二MOS电晶体之闸极。图式简单说明:第一图为显示依据本发明第一实施例之电荷帮浦电路的电路图;第二图之为显示依据本发明第二实施例之电荷帮浦电路的电路图;第三图之方块图显示PLL频率合成器之配置;第四图之电路图显示习用的电荷帮浦电路;第五图A之波形图说明杂讯叠加于图4中所示之控制电压的情形;第五图B之波形图说明一振荡输出信号的频谱;第六图之电路图显示另一习用的电荷帮浦电路; |
