发明名称 |
于磁控管溅镀过程期间作非平面磁铁追踪之技术 |
摘要 |
改进薄膜厚度均匀性或厚度控制于使用磁控管溅镀时之结构和方法,藉调整磁控管或一部分磁控管及溅镀目的物之间之距离,以提供薄膜厚度均匀性上之改进。由于溅镀基体时(主要地为长方形状之基体而利用)当磁控管前后移动磁场内之不当物质,故紧接之有填隙片之轨道,外形轨道,外形表面,凸轮板以及凸轮板控制装置系用来达成薄膜厚度均匀性或厚度控制上之改良。 |
申请公布号 |
TW425590 |
申请公布日期 |
2001.03.11 |
申请号 |
TW086110225 |
申请日期 |
1997.07.18 |
申请人 |
小松应用材料技术股份有限公司 |
发明人 |
哈伦I.哈尔赛;理查E.迪玛瑞;罗赛尔.贝拉克;细川章裕;亚伦.迪沙瓦;维多利亚L.哈尔 |
分类号 |
H01J25/50 |
主分类号 |
H01J25/50 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼 |
主权项 |
第六图(A)第六图(B)系PDP组装装置的FPC压接机构的概要说明图。 |
地址 |
日本 |