发明名称 CLEANING STENCIL MASKS WITH THE AID OF A GAS FLOW THAT PASSES THROUGH MASK OPENINGS
摘要 <p>Beschrieben wird ein Verfahren zum Reinigen einer mit Mikropartikeln verunreinigten lithographischen Maske, die eine Membran mit strukturbildenden Membranöffnungen aufweist, für die Fertigung von vorzugsweise Halbleiterstrkturen. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß eine Strömung eines Fluids durch die Membran hindurch in der Weise hervorgerufen wird, daß auf einer Seite der Membran ein unter einem einheitlichen Druck stehender Vorrat eines Fluids bereitgestellt wird und dabei die Membran ganzflächig dem Fluid ausgesetzt wird, so daß das Fluid durch die strukturbildenden Membranöffnungen hindurchtritt und auf der anderen Seite der Membran aus dieser austritt und dabei die Mikropartikel zumindest aus den strukturbildenden Membranöffnungen entfernt. Durch dieses Verfahren wird eine für Stencilmasken äußerst effiziente Reinigungsmethode bereitgestellt.</p>
申请公布号 WO2001016653(A1) 申请公布日期 2001.03.08
申请号 DE2000002920 申请日期 2000.08.27
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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