| 发明名称 | 使用硅锗制造半导体结构的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有硅层(24，26，28)的半导体衬底。在一个实施例中，衬底是硅层(24，26，28)下面具有氧化物层(14)的绝缘体上硅(SOI)衬底(12，14，24，26，28)。在硅层(24，26，28)上形成无定形的或多晶的硅锗层(32)。或者将锗注入到硅层(24，26，28)的顶部形成非晶态的硅锗层(32)。然后将硅锗层(32)氧化，使硅锗层转化成二氧化硅层(34)，并使至少一部分硅层(24，26，28)转化成富含锗的硅(36，38)。然后在用富含锗的硅形成晶体管(48，50，52)之前除去二氧化硅层(34)。在一个实施例中，在硅层(28)之上、硅锗层(32)之下用图案掩模层有选择地形成富含锗的硅(36，38)。或者，隔离区可用于限定衬底的局部区域，在衬底的局部区域中形成富含锗的硅。 | ||
| 申请公布号 | CN101147243A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200580011654.3 | 申请日期 | 2005.04.05 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 马瑞斯·K.·奥罗斯基;亚历山大·L.·巴尔;马里亚姆·G.·撒达卡;特德·R.·怀特 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底之上形成第一层，其中第一层选自由非晶态的含硅锗层和多晶的含硅锗层组成的组；和氧化第一层，其中氧化第一层使第一层转化为含硅氧化物层并使至少一部分半导体衬底转化为富锗半导体层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||