| 发明名称 | 碳化硅半导体开关器件 | ||
| 摘要 | 本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。pn结果面包括从碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸的界面,而延伸的界面包括与碳化硅单晶(1120)取向平行或大致与之平行的晶面。因此减小漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN1286805A | 申请公布日期 | 2001.03.07 |
| 申请号 | CN98813915.4 | 申请日期 | 1998.03.19 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 大野俊之;岩崎贵之;八尾勉 |
| 分类号 | H01L29/04;H01L29/78;H01L29/80 | 主分类号 | H01L29/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴增勇;叶恺东 |
| 主权项 | 1．一种半导体开关器件，它包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域，其特征在于：所述碳化硅单晶和所述半导体区域之间的pn结界面，从所述碳化硅单晶表面开始沿着深度方向延伸，包括与所述碳化硅单晶的<1120>取向平行或大致与之平行的晶面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||