微腔半导体激光器

摘要

本实用新型属于光电子技术领域,涉及一种环型结构的微腔半导体激光器。在量子阱有源区的上面为P型波导层下面为n型波导层。在P型波导层和金属合金电极之间是上电极欧姆接触层,上电极欧姆接触是高掺杂的。n型波导层的上部同量子阱有源层,P型波导层,上电极欧姆接触层,金属合金电极形成圆环形结构或圆碟形结构。在圆环形或圆碟形结构上引出Y型分束器,微腔的形状象数字“9”。由于环型微腔对光场模式分布的调制,充分降低电流阀值。激光由Y型分束器由一个端口水平输出,便于大规模集成。

主权项

1、一种微腔半导体激光器是由金属合金电板(1)，上电极欧姆接触层(2)，P型波导层(3)，量子阱有源层(4)，n型波导层(5)，n+衬底(6)和下电极(7)等组成，其特征是量子阱有源层(4)的上下两面分别是P型波导层(3)和n型波导层(5)，n型波导层(5)的上部同量子阱有源层(4)，P型波导层(3)，上电极欧姆接触层(2)和金属合金电极(1)形成圆环形或圆碟形结构；在圆环形或圆碟型结构上引出Y型分束器(8)。