铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术

摘要

本发明是一种ＭＯＣＶＤ法制备高荧光效率的铟镓氮单晶薄膜的生长技术，在高温下生长铟镓氮单晶薄膜，同时进行Ｓｉ和Ｚｎ共掺杂，实现高效蓝光发射。ＧａＮ和ＩｎＧａＮ可在相同温度下生长；避免了在器件结构生长过程中的升降温过程，减少了生长工艺上的困难；简化了工艺；提高了生长的可控性和重复性；生长的ＩｎＧａＮ材料发光强度强；具有高的生长速率，缩短了生长时间，从而提高了材料的利用率。可适用于含ＩｎＧａＮ的光发射二极管和激光器等光电器件的制备技术领域。$＃!

主权项

1．一种铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术，采用ZL95101275.4 MOCVD设备，高纯H₂为载气，反应室的压力在整个生长过程中控制在0.1～0.5 个大气压，其步骤包括： 1)蓝宝石衬底装入反应室，在H₂气氛下，1000℃以上处理10～20分钟； 2)在510℃～550℃下生长一厚度为7～30nm的GaN缓冲层； 3)在1030℃～1100℃的温度下生长一厚度为0.5～4μm的GaN层； 4)在此GaN层上，在900℃～1100℃之间外延生长InGaN薄膜，生长InGaN的 同时进行Si和Zn共掺杂；Zn的掺杂剂量在1.0～50μmol之间，Si的掺杂 剂量在0.18～1.8nmol之间。