对还原工程有加强阻挡效果之半导体晶片

摘要

一种用于掩蔽积体电路结构及加强其对还原工程的阻挡性之技术与结构。复数个电晶体在一半导体基底上形成，至少一些该等电晶体为具有侧壁间隔与在该等侧壁间隔下面形成的LDD区域之类型。电晶体是与令人混淆的互连特性可程式化互连的，每一该令人混淆的互连特性包含在该半导体基底中形成的一通道，其较佳的与LDD区域有相同的掺杂密度，一些选定通道形成支持互连主动区之间电通信之一传导类型，其他选定通道形成抑制电通信，但是对还原工程师来说表面上看起来令人混淆的像是支援电通信之一传导类型。