发明名称 | 宽带隙半导体中的功率器件 | ||
摘要 | 本发明描述了一优选器件,它包括在结隔离衬底或半绝缘衬底(例如碳化硅)上制造的诸如超大功率开关器件的半导体器件。 | ||
申请公布号 | CN1286806A | 申请公布日期 | 2001.03.07 |
申请号 | CN98806520.7 | 申请日期 | 1998.06.23 |
申请人 | 小詹姆斯·艾伯特·库珀;迈克尔·R·梅洛奇;贾亚拉玛·谢诺伊;简·斯皮茨 | 发明人 | 小詹姆斯·艾伯特·库珀;迈克尔·R·梅洛奇;贾亚拉玛·谢诺伊简·斯皮茨 |
分类号 | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/24 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.功率开关器件,包括:半绝缘衬底;邻近上述半绝缘衬底用来提供漂移区的外延生长层;源,漏和沟道区;上述沟道区上的绝缘层;以及邻近上述绝缘层的栅。 | ||
地址 | 美国印第安纳州 |