| 发明名称 | 非晶系A1InGaN发光二极管结构 | ||
| 摘要 | 一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,在一氮化镓之上,用气相成多层非晶系化合物半导体层,分别加i型,p型(及/或)n型杂质,以形成发光二极管组件结构,达到低成本,高良好率的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN2422728Y | 申请公布日期 | 2001.03.07 |
| 申请号 | CN00239023.X | 申请日期 | 2000.06.14 |
| 申请人 | 赵汝杰 | 发明人 | 赵汝杰 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈红;李强 |
| 主权项 | 1、非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，包含：在一p型氮化镓基板上依序形成的第一p型非晶系化合物半导体层、第二p型非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、一p/n非晶系化合物半导体层及一n型非晶系化合物半导体层。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县新店市 | ||