| 发明名称 | 利用间隔物掩模的频率加倍 | ||
| 摘要 | 本发明利用间隔物掩模的频率加倍。本发明描述了一种用于制造半导体掩模的方法。首先提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层。所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线。接着，修剪所述间隔物掩模。最后，去除所述牺牲掩模，以提供经修剪的间隔物掩模。经修剪的间隔物掩模使得牺牲掩模的一系列线的频率加倍。 | ||
| 申请公布号 | CN101339361A | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200810098364.2 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 克里斯多佛·D·本彻尔;堀冈启治 |
| 分类号 | G03F1/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 赵飞 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体掩模的方法，包括：提供具有牺牲掩模和间隔物掩模的半导体叠层，其中所述牺牲掩模由一系列线构成，并且所述间隔物掩模包括与所述一系列线的侧壁邻接的间隔物线；以及在修剪所述间隔物掩模之后，去除所述牺牲掩模。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||