| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其特征在于，其具有基板、形成在所述基板上的由氟添加碳膜所构成的绝缘膜、形成在所述绝缘膜上的由氮化硅膜和含有硅和碳及氮的膜所构成的阻挡层、形成在所述阻挡层上的具有含有硅和氧的膜的硬掩模层，所述阻挡层为自下按顺序层压氮化硅膜、含有硅和碳及氮的膜而形成，具有抑制氟添加碳膜中的氟向硬掩模层移动的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN101356638A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200780001368.8 | 申请日期 | 2007.03.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 菊地良幸 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/314(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，其具有基板、形成在所述基板上的由氟添加碳膜所构成的绝缘膜、形成在所述绝缘膜上的由氮化硅膜和含有硅和碳及氮的膜所构成的阻挡层、形成在所述阻挡层上的具有含有硅和氧的膜的硬掩模层，所述阻挡层为自下按顺序层压氮化硅膜、含有硅和碳及氮的膜而形成，具有抑制氟添加碳膜中的氟向硬掩模层移动的功能。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||