| 主权项 |
1.一种遮蔽框架，可与一承载台结合，以遮蔽位于承载台上之一基板其周围区域，包括：一阶梯结构，具有一第一阶梯平面与一第一阶梯侧壁，在该第一阶梯侧壁上具有一凹槽；一定位板块，可嵌入该凹槽而与该阶梯结构结合，该定位板块具有一板面与一侧面，在该板面上设置有一定位孔，提供该遮蔽框架与该承载台结合定位之用，在该侧面上设置有至少一螺孔，贯穿该定位板块；及一螺丝，经由该螺孔将该定位板块锁固于该阶梯结构上。2.如申请专利范围第1项所述之遮蔽框架，其中当该定位板块嵌入该凹槽时，该定位板块之该板面切齐于该第一阶梯平面，且该侧面切齐于该第一阶梯侧壁。3.如申请专利范围第1项所述之遮蔽框架，其中该凹槽可区分为邻近该凹槽开口端之第一部份凹槽、以及邻近该凹槽最内侧之第二部份凹槽，其中该第一部份凹槽具有较大的开口尺寸，而该第二部份凹槽具有较小的开口尺寸。4.如申请专利范围第3项所述之遮蔽框架，其中该定位板块可区分为一本体部与二个侧翼部，其中该二个侧翼部系分别位于该本体部的两侧。5.如申请专利范围第4项所述之遮蔽框架，其中当该定位板块嵌入该凹槽时，该本体部系嵌入该第二部份凹槽，而该侧翼部则嵌入该第一部份凹槽。6.如申请专利范围第4项所述之遮蔽框架，其中该定位板块之该螺孔系贯穿该侧翼部。7.如申请专利范围第3项所述之遮蔽框架，其中该第二部份凹槽侧壁上具有内缩之沟槽。8.如申请专利范围第7项所述之遮蔽框架，其中该定位板块前端侧壁上具有凸缘，当该定位板块嵌入该凹槽时，该凸缘系嵌入该沟槽中。9.如申请专利范围第1项所述之遮蔽框架，其中该定位板块之材质为陶瓷材质。10.如申请专利范围第1项所述之遮蔽框架，其中该螺丝之材质可由陶瓷、石英、聚醯亚胺(VESPEL,polyimide)、聚苯咪唑(PBI,polybenzimidazole)的组合选取之。11.一种化学气相沈积机台，包括：一反应室；一承载台，用以承载一基板至该反应室中，其中该承载台周边上表面具有一定位插销；及一遮蔽框架，结合于该承载台之上，以遮蔽该基板之周围区域，该遮蔽框架包括了一阶梯结构，具有一第一阶梯平面与一第一阶梯侧壁，在该第一阶梯侧壁上具有一凹槽，一定位板块，可嵌入该凹槽而与该阶梯结构结合，该定位板块具有一板面与一侧面，在该板面上设置有一定位孔，用以跟该承载台之该定位插销接合，以提供该遮蔽框架与该承载台结合定位之用，在该侧面上设置有至少一螺孔，贯穿该定位板块，一螺丝，经由该螺孔将该定位板块锁固于该阶梯结构上。12.如申请专利范围第11项所述之化学气相沈积机台，其中该承载台为一矩形结构，且具有至少二个该定位插销，分别位于其周边上表面，所述至少二个该定插销并分别位于该承载台之二个相对周边上。13.如申请专利范围第11项所述之化学气相沈积机台，其中该遮蔽框架为一矩形框架，具有至少二个该定位板块，分别位于该矩形框架的二相对边框上，且每一个该定位板块系由该遮蔽框架的内缘嵌入该阶梯结构。14.如申请专利范围第11项所述之化学气相沈积机台，其中当该定位板块嵌入该凹槽时，该定位板块之该板面切齐于该第一阶梯平面，且该侧面切齐于该第一阶梯侧壁。15.如申请专利范围第11项所述之化学气相沈积机台，其中该凹槽可区分为邻近该凹槽开口端之第一部份凹槽、以及邻近该凹槽最内侧之第二部份凹槽，其中该第一部份凹槽具有较大的开口尺寸，而该第二部份凹槽具有较小的开口尺寸。16.如申请专利范围第15项所述之化学气相沈积机台，其中该定位板块可区分为一本体部与二个侧翼部，其中该二个侧翼部系分别位于该本体部的两侧。17.如申请专利范围第16项所述之化学气相沈积机台，其中当该定位板块嵌入该凹槽时，该本体部系嵌入该第二部份凹槽，而侧翼部则嵌入该第一部份凹槽。18.如申请专利范围第16项所述之化学气相沈积机台，其中该定位板块之该螺孔系贯穿该侧翼部。19.如申请专利范围第15项所述之化学气相沈积机台，其中该第二部份凹槽侧壁上具有内缩之沟槽。20.如申请专利范围第19项所述之化学气相沈积机台，其中该定位板块前端侧壁上具有凸缘，当该定位板块嵌入该凹槽时，该凸缘系嵌入该沟槽中。21.如申请专利范围第11项所述之化学气相沈积机台，其中该定位板块之材质为陶瓷材质。22.如申请专利范围第11项所述之化学气相沈积机台，其中该螺丝之材质可由陶瓷、石英、聚醯亚胺(VESPEL, polyimide)、聚苯咪唑(PBI,polybenzimidazole)的组合选取之。图式简单说明：图一A显示习知技术化学气相沈积制程中以遮蔽框架遮蔽基板四周表面之示意图；图一B显示习知技术化学气相沈积制程中相关设备的截面图；图二A显示习知技术中形成于遮蔽框架表面上之定位孔；图二B显示习知技术中以陶瓷材质制作定位块并以螺丝将定位块锁固于遮蔽框架表面上之情形；图二C显示习知技术中直接将定位块嵌入遮蔽框架表面上之情形；图三显示本新型所提供遮蔽框架之侧视图；图四显示本新型所提供遮蔽框架应用于化学气相沈积机台中之相关设备截面图；及图五显示本新型所提供遮蔽框架应用于化学气相沈积机台中之相关设备侧视图。 |
