| 摘要 |
<P>Dans un procédé de traitement par plasma d'un substrat (16) placé dans une enceinte à vide (1), l'invention prévoit de compenser l'éventuelle variation du débit d'alimentation en gaz actif traversant une canalisation d'amenée de gaz actif (4) par l'injection d'un débit complémentaire de gaz de contrôle en une zone (25) proche des moyens contrôlés d'aspiration de gaz (3). On pallie ainsi à l'incapacité des systèmes d'asservissement de pression et d'adaptation d'impédance à pouvoir répondre dans des temps de l'ordre de la seconde à des variations de débit de gaz actif d'entrée.</P> |
