| 摘要 |
<p>본 고안은 반도체 저압화학기상증착장비의 가스혼합장치에 관한 것으로, 종래에는 공정가스가 충분이 혼합되지 못한 상태로 미반응상태의 공정가스가 웨이퍼에 증착되어 조성분균일을 초래하는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 저압화학기상증착장비의 가스혼합장치는 튜브 지지대(23)의 내측에 다수개의 가스분출공(43a)이 형성된 혼합공간형성부재(40)를 설치하고, 그 가스분출공의 주변에 히터를 내설하여, 공정진행시 상기 혼합공간형성부재(40)에 의하여 형성된 혼합공간부(41)에서 2가지의 공정가스가 충분히 혼합되어 막힘이 없이 인너 튜브(21)의 내측으로 공급되도록 함으로써, 종래와 같이 2가지의 공정가스가 반응되지 못한 상태로 웨이퍼에 증착되는 것을 방지하게 되어 증착막의 조성균일도를 향상시키는 효과가 있다.</p> |
