| 主权项 |
1.一种晶座,藉以利用吸气之方式承载一晶片,该晶座具有与该晶片接触之贴合面,于该晶座之该贴合面上形成有:一吸气孔,贯通该晶座;一第一环状沟槽,实质上以该吸气孔为中心,位于该吸气孔之径向外测;一第二环状沟槽,实质上以该吸气孔为中心,位于该第一环状沟槽之径向外测;复数之第一连通沟槽,连通该吸气孔与该第一环状沟槽,并与该第一环状沟槽连通形成复数之第一内连通部;及复数之第二连通沟槽,连通该第一环状沟槽与该第二环状沟槽,并与该第一环状沟槽连通形成复数之第一外连通部,且与该第二环状沟槽连通形成复数之第二内连通部,其中,至少一个该第一内连通部,和与其毗邻之任一个该第一外连通部,实质上并非位于该第一环状沟槽之同一位置。2.如申请专利范围第1项之晶座,于该贴合面上更形成有:一第三环状沟槽,实质上以该吸气孔为中心,位于该第二环状沟槽之径向外侧;及复数之第三连通沟槽,该复数之第三连通沟槽系连通该第二环状沟槽与该第三环状沟槽,并与该第二环状沟槽连通形成复数之第二外连通部,其中,至少一个该第二内连通部,和与其毗邻之任一个该第二外连通部,实质上并非位于该第二环状沟槽之同一位置。图式简单说明:第一图显示一种化学气相沈积设备之局部示意图。第二图显示一种用于第一图之习知晶座的剖面图。第三图显示依本发明较佳实施例之晶座之剖面图。第四图显示依第三图之一种变形例。第五图显示依第三图之另一种变形例。 |
