| 主权项 |
1.一种于一半导体晶片上沉积一氧矽层的方法,该半导体晶片表面包含有复数个电晶体元件,该方法包含有:以一硷性溶液对该半导体晶片进行一清洗制程;以及进行一沉积制程,以臭氧气体(ozone)为反应气体以形成该氧矽层,其中该硷性溶液对该半导体晶片所进行之清洗制程能使该氧矽层形成于该半导体晶片表面时,在该半导体晶片之各个电晶体元件之不同物质表面有一致的沉积速率。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该沉积制程系为一常压化学气相沈积(APCVD)制程。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该沉积制程系以臭氧气体与四乙氧基矽烷(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate, TEOS)为反应气体。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该臭氧气体之流量范围为80至200g/L。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该硷性溶液可为氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)或氢氧化铵(NH4OH)。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该硷性溶液中另包含有过氧化氢(H2O2)。7.如申请专利范围第1项之方法,其中构成该电晶体元件之物质包含有矽(Si)、二氧化矽(SiO2)以及氮化矽(SiN)。图式简单说明:第一图及第二图为习知沈积于一半导体晶片上之氧矽层的剖面示意图。第三图及第四图为本发明沈积一氧矽层的方法的示意图。 |
