| 主权项 |
1.一种具高耦合率非挥发性记忆体单元之制造方法,包括:形成闸极氧化层于一半导体基底之上;形成一漂浮闸极层于该闸极氧化层之上;其中,该漂浮闸极层具有崎岖不平之表面,而增加其表面积;形成隧穿层于该漂浮闸极层之表面上;形成控制闸极层于该隧穿层之上;蚀刻该控制闸极层、该隧穿层、该漂浮闸极层、及该闸极氧化层,以形成该非挥发性记忆体单元之堆叠闸极结构,且使该半导体基底露出于该闸极结构之两侧;以及进行离子布植,以形成源/汲极于该堆叠闸极结构之两侧。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该漂浮闸极层之形成步骤包括:形成主要导电层于该闸极氧化层之上;以及,形成复数岛状导电层分布于该主要导电层之上,而构成该漂浮闸极层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该漂浮闸极层之形成步骤包括:依序形成主要导电层、绝缘层于该闸极氧化层之上;形成复数岛状导电层分布于该绝缘层之上;以该等岛状导电层为罩幕,蚀刻该绝缘层而露出该主要导电层;蚀刻该等岛状导电层、和露出于该绝缘层外之该主要导电层,使该主要导电层具有崎岖不平之表面;以及去除该绝缘层而露出该主要导电层,作为该漂浮闸极层。4.如申请专利范围第2项或3项所述之方法,其中,该主要导电层、及该等岛状导电层系由复晶矽所形成。5.如申请专利范围第2项或3项所述之方法,其中,该绝缘层可由TEOS、或氧化层等所形成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该控制闸极层系由复晶矽、或WSix所形成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该隧穿层系由ONO、Ta2O5.或具有高介电常数之介电质所形成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该半导体基底为P型,该离子布植系使用能量介于15-60KeV、掺杂浓度介于1015-51015个/cm2之砷离子。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该非挥发性记忆体系为EPROM、或E2PROM。图式简单说明:第一图系显示习知N通道非挥发性记忆体单元的剖面图;第二图显示习知N通道非挥发性记忆体单元中电压耦合之等效电路图;第三图A-第三图F显示本发明第一实施例之流程剖面图;以及第四图A-第四图F显示本发明第二实施例之流程剖面图。 |
