| 主权项 |
1.一种振荡器用频率控制电路,其包含有:一快闪记忆胞,具有一晶胞电晶体;一切换单元,用以依据一致能讯号在规划模式下输出一第一电压至该快闪记忆胞,及在读取模式下输出一第二电压;一写入驱动器,用以在该规划模式之下,依据该致能讯号,输出一规划电压至该快闪记忆胞;一偏压单元,用以在该读取模式下依据该致能讯号,供应一电流至该快闪记忆胞,及产生一正比于该快闪记忆胞之一临界电压之频率控制电压;及一振荡器,用以依该频率控制电压改变振荡频率。2.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中当该致能讯号为一高位准时,该快闪记忆胞之该规划模式被执行,而当该致能讯号为一低位准时,该快记忆胞之该读取模式被执行。3.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中该第一电压为一上升电压及该第二电压为一电源电压。4.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中该上升电压及规划电压被改变成与初始电压相差Ⅵ(Ⅵ≦Ⅳ)之値。5.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中该上升电压及该规划电压之绝对値皆大于该电源供应电压之値。6.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中该切换单元系包括:一准位移换器,用以在该规划模式下输出一接地电压,及在该读取模式下输出一上升电压;一泵单元,用以在该读取模式下输出一泵电压;一第一N型金氧半(NMOS)电晶体,用以依据泵电压输出一读取电压至该晶胞电晶体;一第二N型金氧半(NMOS)电晶体,用以拉高输出端至Vdd-Vt之位准;及一第一P型金氧半(PMOS)电晶体,用以在该规划模式下依从该准位移换器输出之该接地电压,输出该上升电压至该晶胞电晶体。7.申请专利范围第6项之振荡器用频率控制电路,其中该准位移换器系包括:第二及三P型金氧半(PMOS)电晶体,其源极皆接受一上升电压,及其闸极与汲极各分别交错连接于该等第二及三P型金氧半电晶体之汲极与闸极;及第三及四N型金氧半(NMOS)电晶体,连接于该等第二及三P型金氧半(PMOS)电晶体及接地点之间,以及皆用以透过其闸极接收一经过反相之致能讯号及该致能讯号。8.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中该写入驱动器包括:一第一传送电晶体,用以传送以被该反相器反相之该致能讯号;一闩锁单元,用以闩锁该第一传送电晶体之输出;及一第四P型金氧半(PMOS)电晶体,用以依该闩锁单元之一输出讯号输出一规划电压。9.如申请专利范围第8项之振荡器用频率控制电路,其中该闩锁单元会在该致能讯号为一高位准时,闩锁该第一传送电晶体之输出至一接地电压,及在该致能讯号为一低位准时,该闩锁单元则将该第一传送电晶体之输出闩锁于该规划电压。10.如申请专利范围第8项之振荡器用频率控制电路,其中该第一传送电晶体在该读取模式下,阻挡从该闩锁单元输出之该规划电压流向该反向器。11.如申请专利范围第8项之振荡器用频率控制电路,其中该闩锁单元包括:一第五P型金氧半(PMOS)电晶体,连接于该规划电压端及该第四P型金氧半(PMOS)电晶体之闸极之间;及一第六P型金氧半(PMOS)电晶体及一第五N型金氧半(NMOS)电晶体,以并联方式连接于该规划电压及该接地电压之间,同时其闸极皆连接至该第四P型金氧半(PMOS)电晶体之闸极,其中该第五P型金氧半(PMOS)电晶体之闸极则被连接至该输出端。12.如申请专利范围第1项之振荡器用频率控制电路,其中该偏压单元包括:一第二传送电晶体,其汲极连接至该写入驱动器之输出端及该晶胞电晶体,及用以透过其闸极接收该已反相之致能讯号;及一第七P型金氧半(PMOS)电晶体,连接于该电源供应电压及该第二传送电晶体之源极之间,其中该第七P型金氧半(PMOS)电晶体为一二极体型式。13.如申请专利范围第12项之振荡器用频率控制电路,其中该第二传送电晶体在该规划模式下阻挡电流流向该快闪记忆胞。14.一种快闪记忆体之振荡器电路,具有一振荡器用频率控制电路,该频率控制电路会依一频率控制电压而改弯一振荡器之频率,其中该频率控制电路包含有:一快闪记忆胞,具有一晶胞电晶体;一切换单元,用以在规划模式下输出一第一电压以改变该晶胞电晶体之一临界电压,及在读取模式下输出一第二电压;一写入驱动器,用以在该规划模式下输出一规划电压至该晶胞电晶体之汲极;及一偏压单元,用以在该读取模式下供应一电流至该快闪记忆胞,及产生一正比于该快闪记忆胞之该临界电压之频率控制电压。15.如申请专利范围第14项之振荡器电路,其中该第一电压为一上升电压,而该第二电压是一电源电压。16.如申请专利范围第15项之振荡器电路,其中该上升电压及该规划电压被改变成与初始电压相差Ⅵ(Ⅵ≦Ⅳ)之値。17.如申请专利范围第15项之振荡器电路,其中该上升电压及该规划电压之绝对値皆大于该电源供应电压之値。18.如申请专利范围第14项之振荡器电路,其中该偏压单元系包括:一传送电晶体,其汲极分别连接至该写入驱动器之输出端及该晶胞电晶体,且其闸极接收一已反相之致能讯号;及一个二极体型之P型金氧半(PMOS)电晶体,连接于该电源供应电压及该传送电晶体之源极之间。19.一种振荡器用频率控制电路,其包含有:一快闪记忆胞,具有一晶胞电晶体;一切换单元,用以在规划模式下输出一第一电压至该快闪记忆胞;一写入驱动器,用以在该规划模式下输出一第二电压至该快闪记忆胞;一偏压单元,用以在该快闪记忆胞之读取模式下供应一电流至该快闪记忆胞,及产生一正比于该快闪记忆胞之临界电压之频率控制电压;及一振荡器,用以依所产生之该频率控制电压改变其频率。20.如申请专利范围第19项之振荡器用频率控制电路,其中该第一电压为一上升电压,而该第二电压是一规划电压。21.如申请专利范围第20项之振荡器用频率控制电路,其中该上升电压及该规划电压被改变成与初始电压相差Ⅵ(Ⅵ≦Ⅳ)之値。22.如申请专利范围第20项之振荡器用频率控制电路,其中该晶胞电晶体之该临界电压系依该第一电压作正比式改变。23.一种振荡器电路之频率控制方法,该振荡器电路依一快闪记忆胞之一临界电压改变一频率控制电压,及依该改变之频率控制电压而改变一振荡器之频率,该方法系包含下列步骤:藉由执行该快闪记忆胞之一读取操作,量测一振荡器之振荡器频率;将该测得之频率与一参考频率比较;在二频率不相同时,藉由输出第一与二电压至晶胞电晶体闸极及汲极,改变该晶胞电晶体之临界电压;藉由执行该快闪记忆胞之一读取操作而根据依照所改变之该临界电压所设定之一频率控制电压,量测该振荡器之振荡频率;及重覆上述之各步骤,直至该量得之频率与该参考频率相同为止。24.如申请专利范围第23项之振荡器电路之频率控制方法,其中该第一电压为一上升电压,且该第二电压是一规划电压。25.如申请专利范围第24项之振荡器电路之频率控制方法,其中该上升电压及该规划电压被改变成与初始电压相差Ⅵ(Ⅵ≦Ⅳ)之値。26.如申请专利范围第25项之振荡器电路之频率控制方法,其中该上升电压及该规划电压之绝对値皆大于电源电压之値。图式简单说明:第一图系为绘示传统振荡器电路之一电路图;第二图系为绘示第一图中控制电压-振荡频率特性曲线的倾斜度之一曲线图;第三图系为绘示依据本发明用于振荡器之频率控制电路之一方块图;第四图系为绘示第三图中之切换单元之一详细电路图;第五图系为绘示第三图中写入驱动器之一详细电路图;第六图系为绘示第三图中之振荡器之一详细电路图;及第七图系为绘示振荡器频率之控制动作之一幅流程图。 |
