| 主权项 |
1.一种半导体基板之洗净方法,包括:将半导体基板施以氧化还原之步骤(11);将经上述氧化还原之半导体基板施以氧化之步骤(12);将经上述氧化之半导体基板施以还原之步骤(13);将经上述还原之半导体基板施以冲洗之步骤(14);及将经上述冲洗之半导体基板再施以氧化之步骤(15)。2.如申请专利范围第1项之洗净方法,其中,半导体基板之氧化系藉由半导体基板浸渍于臭氧溶解水溶液、硝酸或过氧化氢水溶液之任一种氧化液或两种以上混合而成之氧化液中进行者。3.如申请专利范围第1项之洗净方法,其中,半导体基板之还原系藉由半导体基板浸渍于含羧基之有机酸或有机酸盐与氢氟酸之混合液中进行者。4.如申请专利范围第1项之洗净方法,其中,半导体基板之冲洗系藉由半导体基板浸渍于含羧基之有机酸、或有机酸盐之溶液、或有机酸、或有机酸盐与氢氟酸之混合液中进行者。5.如申请专利范围第3项之洗净方法,其中,氢氟酸之浓度为0.005~0.25重量%者。6.如申请专利范围第4项之洗净方法,其中,氢氟酸之浓度为0.01重量%以下者。7.如申请专利范围第3项或第4项之洗净方法,其中,有机酸或有机酸盐之浓度为0.0001重量%以上者。8.如申请专利范围第3项或第4项之洗净方法,其中,有机酸或有机酸盐为选自草酸、柠檬酸、琥珀酸、乙二胺四乙酸、酒石酸、水杨酸、甲酸、马来酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、苯(甲)酸、丙烯酸、巳二酸、丙二酸、苹果酸、乙醇酸、苯二酸、对苯二甲酸及富马酸等组群之一种或二种以上有机酸或其盐者。图式简单说明:第一图为本发明洗净方法实施形态之步骤说明图;第二图为分别于实施例1-7与比较例中洗净后之矽晶圆表面上所残留之微粒数说明图。 |
