| 主权项 |
1.一种磁性记录媒体之制造方法,包含步骤:形成第一下覆层于一基底表面上;曝露第一下覆层于含氧气氛一段时间,其中PO2.t(PO2为气氛中氧分压,而t为曝露于气氛时间)介于110-6托耳.秒至110-2托耳.秒;分别形成第二下覆层于曝露至气氛之第一下覆层上;及分别形成磁性膜于第二下覆层上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一下覆层为合金构成,此合金包含至少二种元素,其中温度250℃时元素之氧化形成标准自由能量差G为150(KJ/mol O2)以上(若存在二种以上氧化物,G为最低値)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中第一下覆层直接形成于基底上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中第一下覆层分别形成于基底表面上形成之基底表面下覆层上。5.一种磁性记录媒体,包含:一基底;第一下覆层形成于基底上,第二下覆层直接形成于第一下覆层上;及一磁性膜,形成于第二下覆层上,其中具大量氧之丛集分散于第一与第二下覆层之边界面上。6.一种磁性记录媒体,包含:一基底;第一下覆层形成于基底上而由非晶合金构成;第二下覆层直接形成于第一下覆层上;及一磁性膜,形成于第二下覆层上,其中具大量氧之丛集分散于第一与第二下覆层之边界面上。7.如申请专利范围第5或6项之磁性记录媒体,其中基底为一玻璃基底。8.如申请专利范围第5或6项之磁性记录媒体,其中基底由铝合金构成。9.如申请专利范围第5或6项之磁性记录媒体,其中第一下覆层直接形成于基底上。10.如申请专利范围第5或6项之磁性记录媒体,其中第一下覆层形成于基底表面上所形成之基底表面下覆层上。11.一种磁性贮存,包含:一种磁性记录媒体,具一基底,第一下覆层形成于基底上,第二下覆层直接形成于第一下覆层上,及一磁性膜形成于第二下覆层上,其中具大量氧之丛集分散于第一与第二下覆层之边界面上;一磁头,由一记录部及一再生部构成,磁头对应磁性记录媒体之面;一驱动单元,改变磁性记录媒体与磁头之相对位置;一磁头驱动单元,供定位磁头至一所欲位置;及一读写讯号处理器,输入讯号至磁头并再生磁头之输出讯号。12.一种磁性贮存,包含:一磁性记录媒体,具一基底,第一下覆层由非晶合金构成而形成于基底上,第二下覆层直接形成于第一下覆层上,及一磁性膜形成于第二下覆层上,其中具大量氧之丛集分散于第一与第二下覆层之边界面上;一磁头,由一记录部及一再生部构成,磁头对应磁性记录媒体之面;一驱动单元,改变磁性记录媒体与磁头之相对位置;一磁头驱动单元,定位磁头至一所欲位置;及一读写讯号处理器,输入讯号至磁头并再生磁头之输出讯号。13.如申请专利范围第11或12项之磁性贮存,其中磁性记录媒体之基底为玻璃基底。14.如申请专利范围第11或12项之磁性贮存,其中磁性记录媒体之第一下覆层直接形成于基底上。15.如申请专利范围第11或12项之磁性贮存,其中磁性记录媒体之第一下覆层形成于基底表面上所形成之基底面下覆层上。图式简单说明:第一图为本发明一例磁性记录媒体示意截面;第二图为本发明磁性记录媒体之层形成装置一例示意图;第三图显示活化量与磁矩之积相对本发明磁性记录媒体之多下覆层形成时机条件之关系;第四图为本发明磁性记录媒体第一下覆层上形成丛集之TEM照片示意;第五图为本发明一例磁性记录媒体与比较例磁性记录媒体之X射线衍射图案;第六图为本发明磁性贮存一例之示意平面及截面;及第七图为本发明另例之磁性记录媒体截面。 |
