| 主权项 |
1.一种电气接触组件阵列,其包含: a)一拥有至少一绝缘层及一传导轨迹层的基座; b)位于基座上之衆多接触组件,每个接触组件包含 至少两个传导组件,每个该传导组件拥有两端,以 每个接触组件的一端与传导轨迹做电气接触且与 传导成份之其他端连接一起。2.如申请专利范围 第1项之电气接触组件阵列,其中每个衆多接触组 件之传导成份以5度及90度之间的角度连接在一起 。3.如申请专利范围第1项之电气接触组件阵列,其 中基座包含一印刷电路板。4.如申请专利范围第1 项之电气接触组件阵列,其中基座包含一积体电路 。5.如申请专利范围第1项之电气接触组件阵列,其 中衆多接触组件是位于拥有许多行的阵列中,拥有 一行中之接触组件拥有位于邻近行之接触组件之 传导组件的部份。6.如申请专利范围第5项之电气 接触组件阵列,其中接触组件是位于列及行中,该 列额外包含了位于接触组件之邻近列之间的电气 传导电屏。7.如申请专利范围第1项之电气接触组 件阵列,其中衆多接触组件设置于拥有许多行之阵 列之中,以每个接触组件之传导组件之接触端定义 接触点及接触组件之接触点之间及邻近行中之接 触组件之接触点成一直线。8.如申请专利范围第1 项之电气接触组件阵列,其中基座包含平坦表面且 传导组件被平行装置于平坦表面上。9.如申请专 利范围第8项之电气接触组件阵列,其中基座包含 矽,且传导组件包含矽。10.如申请专利范围第9项 之电气接触组件阵列,其中基座包含拥有形成其中 之半导体电路的矽。11.如申请专利范围第9项之电 气接触组件阵列,其中每个传导组件包含拥有位于 其上之金属轨迹之矽。12.如申请专利范围第9项之 电气接触组件阵列,其中每个传导组件包含添加矽 。13.如申请专利范围第1项之电气接触组件阵列, 其中每个接触组件之传导组件之接触端定义了探 针尖端,且此探针尖端的外型拥有凹的表面。14.如 申请专利范围第13项之电气接触组件阵列,其中每 个探针尖端拥有在其中形成的孔。15.如申请专利 范围第1项之电气接触组件阵列,其另外包含: (a)一形成在基座上之地平面; (b)一位于地平面及许多接触组件的介电质层; (c)运行穿过地平面及介电质的衆多讯号馈穿,每个 讯号馈穿将传导组件连接至基座内的传导轨迹之 一。16.如申请专利范围第1项之电气接触组件阵列 ,其中基座包含拥有上表面的矽,且许多传导组件 包含V型,与矽上表面平行之金属接触之组件。17. 一种制造拥有基座及位于其上之衆多接触组件类 型之衆多接触组件的方法, 每个接触组件包含至少两个传导组件,每个传导组 件拥有两端,以每个接触 组件的一端与传导轨迹做电气接触且与传导成份 之其他端连接一起,该制造的 方法包含下列步骤: (a)将基座上的物质层沉积; (b)选择性地移除层之部份以留下许多的V型组件, 每个V型组件拥有两个手臂,手臂被连接于一端且 在另一端固定连接至基座。18.如申请专利范围第 17项之制造衆多接触组件之方法,其中选择性地移 除部份之步骤包含选择性地蚀刻此层。19.如申请 专利范围第18项之方法,其中沉积层之步骤包含沉 积矽层,且此方法额外地包含搀杂此层,使其具有 电气传导性。20.如申请专利范围第18项之方法,另 外包含沉积一金属层于该层之步骤,且选择性地移 除金属层部份,以留下手臂上之传导金属轨迹。21. 如申请专利范围第17项方法,其中选择性地移除层 部份之步骤包含选择性地移除层部份以留下V型组 件,每个拥有形成于表面上之沟渠,且此方法更进 一步包含在每个沟渠内沉积金属轨迹的步骤。22. 一种制造积体电路的方法,包含测试积体电路晶片 的步骤,其根据下列之步骤: (a)形成一拥有许多位于表面上之接触点的积体电 路晶片,接触点与邻近点的间距小于1.3厘米; (b)将积体电路晶片压至位于拥有传导轨迹之基座 上之接触组件阵列,每个接触组件拥有至少两个传 导组件,每个传导组件拥有两端,以每个接触组件 的一端与传导轨迹做电气接触,且与传导成份之其 他端连接一起,以形成探针尖端与接触点之一作接 触; (c)经由接触组件阵列,连接拥有许多驱动器及比较 器电路的自动测试装置至积体电路晶片,对于许多 接触组件部份而言,驱动电路连接至第一传导组件 且比较器电路连接至第二传导组件;及 (d)以驱动电路提供测试讯号至积体电路晶片,且以 比较器电路测量反应。23.如申请专利范围第22项 之方法,其中,积体电路晶片上之接触点包含焊接 球。24.如申请专利范围第23项之方法,其中,接触组 件之探针尖端包含凹陷表面,且将积体电路组件压 向接触组件阵列之步骤包含将焊接球压入凹陷表 面。25.如申请专利范围第22项之方法,其中,以驱动 器电路提供测试讯号至积体电路晶片及以比较器 电路测量反应之步骤包含:对于相同之接触点以十 亿分之一秒或更少之时间间隔来测量反应讯号及 驱动测试讯号。图式简单说明: 第一图A显示根据本发明的接触器阵列; 第一图B显示第一图A中之接触器阵列的一部份放 大图; 第一图C更详细地显示单一接触组件; 第二图显示根据本发明之与焊接球相契合的接触 组件; 第三图显示接触组件阵列的另一实施例; 第四图显示第三图中接触器之一的放大图。 |
