| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含有: 一基板; 一主动装置,其被形成于该基板上; 一接合垫,其被形成于该基板上;以及 一印记区,其被形成于该接合垫正下方的该基板上 ,以使得该印记区为该接合垫所覆盖。2.如申请专 利范围第1项之半导体装置,其中该接合垫系与该 印记区垫电气绝缘。3.如申请专利范围第1项之半 导体装置,其中该印记区包含一图案,其系与该主 动区分离。4.如申请专利范围第1项之半导体装置, 其中该接合垫具有相当于该印记区外型的形状。5 .如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该接合 垫与该印记区被形成于该主动区被形成于其中的 该基板的主动区中。6.如申请专利范围第1项之半 导体装置,其中该接合垫与该印记区被形成于该基 板的一切割线上。7.如申请专利范围第1项之半导 体装置,其中该印记区包含一对齐印记。8.如申请 专利范围第1项之半导体装置,其中该印记区包含 一定位印记。9.一种半导体装置,其包含有: 一基板; 一主动装置,其被形成于该基板上; 一接合垫,其被形成于该基板上;以及 一监视区,其被形成于该接合垫正下方的该基板上 ,以使得该监视区为该接合垫所覆盖。10.如申请专 利范围第9项之半导体装置,更包含有:另一个接合 垫,其系与电连接于该监视区的该接合垫邻接;以 及另一个监视区域,其被形成于该另一个接合垫的 正下方。图式简单说明: 第一图A与第一图B系为表示本发明之原理的图式; 第二图A与第二图B系为表示根据本发明之第一个 实施例之半导体装置构造的个别平面图与横剖面 图的图式; 第三图A与第三图B系为表示根据本发明之第二个 实施例之半导体装置构造的个别平面图与横剖面 图的图式; 第四图系为表示根据本发明之第三个实施例之半 导体装置构造的图式; 第五图A与第五图B系为表示根据本发明之第四个 实施例之半导体装置构造的个别平面图与横剖面 图的图式; 第六图A与第六图B系为表示根据本发明之第五个 实施例之半导体装置的制程的图式; 第七图A与第七图B系为表示根据本发明之第六个 实施例之半导体装置的制程的图式; 第八图A与第八图B系为表示根据本发明之第七个 实施例之半导体装置的制程的图式; 第九图系为表示根据本发明之第八个实施例之半 导体装置构造的图式; 第十图系为表示根据本发明之第九个实施例之半 导体装置构造的图式; 第十一图系为表示第十图之半导体装置改良的图 式。 |
