Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Isolierzonen,申请号DE1992631653-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Isolierzonen
摘要
申请公布号	DE69231653(D1)	申请公布日期	2001.03.01
申请号	DE1992631653	申请日期	1992.09.14
申请人	NEC CORP., TOKIO/TOKYO	发明人	NISHIO, NOBUYA
分类号	H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/76	主分类号	H01L21/76
代理机构		代理人
主权项
地址