Kondensator für eine Halbleiterspeichervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Es wird ein Kondensator für eine Halbleitervorrichtung offenbart, der dazu in der Lage ist, die Speicherkapazität zu erhöhen und Verlustströme zu vermeiden, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine untere Elektrode auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet. Eine Oberfläche der unteren Elektrode wird oberflächenbehandelt, um die Erzeugung einer natürlichen Oxidschicht zu vermeiden. Eine TaON-Schicht als dielektrische Schicht wird auf die untere Elektrode aufgebracht. Verunreinigungen der TaON-Schicht werden ausdiffundiert und sie wird kristallisiert. Außerdem wird eine obere Elektrode auf die TaON-Schicht aufgebracht. Hier wird TaON-Schicht durch eine chemische Dampfreaktion von Ta ausgebildet, erhalten durch O 2 -Gas und NH 3 -Gas in einer LPCVD-Kammer, zu welcher O 2 -Gas und NH 3 -Gas bei einem Druck von 0,1 bis 10 Torr bei einer Temperatur von 300 bis 600 C jeweils zugeführt werden.