| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung umfaßt einen Graben (1), der in einem Substrat (2) gebildet ist. In dem Graben (1) wird eine undotierte Siliziumoxidschicht abgeschieden, auf die wiederum eine dotierte Silikatglasfüllung aufgebracht wird. Durch das erfindungsgemäße Verfahren wird eine vergrabene Platte (9) um den unteren Bereich des Grabens (1) in dem Substrat (2) gebildet.</p> |
