| 发明名称 | 铁电薄膜的制造方法、铁电电容器、铁电存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种非c轴取向的层状结构铁电薄膜的制造方法,其中包括:至少其表面成为球状晶体结构的导电层12的表面上,形成具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜13的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1285617A | 申请公布日期 | 2001.02.28 |
| 申请号 | CN00121579.5 | 申请日期 | 2000.08.14 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 那须彻;林慎一郎 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L27/04 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1．一种铁电薄膜的制造方法，其特征在于包括：至少其表面形成为球状晶体结构的导电层的所述表面上，形成具有取向不规则的层状结构的铁电薄膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||