| 发明名称 | 介电陶瓷材料和单块陶瓷电子元件 | ||
| 摘要 | 一种含BaTiO<SUB>3</SUB>主要组分和稀土元素附加组分的介电陶瓷材料,它满足0.7≤M/N使晶粒中稀土元素有均匀的密度;满足0.8≤L/N使一颗晶粒中稀土元素有均匀的密度。式中M是满足0.5≤D<SUB>i</SUB>/D的晶粒数,N是构成陶瓷材料的晶粒数,L是满足0.5≤D<SUB>i</SUB>/D和S<SUB>i</SUB>/D≤0.3的晶粒数;D<SUB>I</SUB>是任意一颗晶粒i中稀土元素平均密度,D是整个陶瓷材料中稀土元素的平均密度,S<SUB>I</SUB>是晶粒i中稀土元素平均密度的标准偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN1285334A | 申请公布日期 | 2001.02.28 |
| 申请号 | CN00122765.3 | 申请日期 | 2000.08.08 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 平松隆;池田润;和田博之;浜地幸生 |
| 分类号 | C04B35/01;H01B3/12;H01G4/12 | 主分类号 | C04B35/01 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 1．一种介电陶瓷材料，它包括以式ABO3表示的主要组分和稀土元素附加组分，式中A代表Ba和任选的Ca和/或Sr；式中B代表Ti和任选的Zr和/或Hf，式中O代表氧，其特征在于如果在构成陶瓷材料的晶粒中，任意一颗晶粒i中稀土元素平均密度用Di表示；在整个陶瓷材料中，稀土元素平均密度用D表示；在晶粒i中稀土元素密度的标准偏差用Si表示；满足关系0.5≤Di/D的晶粒数用M表示；构成陶瓷材料的晶粒数用N表示，并且满足关系0.5≤Di/D和Si/D≤0.3的晶粒数用L表示；则该陶瓷材料满足下列关系：0.7≤M/N；和0.8≤L/N。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||