| 摘要 |
MÉTODO PARA LA NANOMODULACIÓN DE SUPERFICIES METÁLICAS QUE COMPRENDE LAS SIGUIENTES ETAPAS: OBTENER UNA PLANTILLA DE ALUMINIO GRABADA CON NANOVALLES AL ANODIZAR UNA PELÍCULA DE ALUMINIO DE ALTA PUREZA QUE CONSTA DE UNA CAPA NATURAL DE ÓXIDO DE ALUMINIO MUY DELGADA SOBRE SU SUPERFICIE, HACER CRECER DICHA CAPA AL UTILIZAR UNA SOLUCIÓN ELECTROQUIMICA PARA DISOLVER PARCIALMENTE EL ÓXIDO DE ALUMINIO Y FORMAR UNA CAPA POROSA QUE SE SOSTIENE SOBRE EL ALUMINIO, LA QUE SE ELIMINA MEDIANTE UN ATAQUE QUÍMICO SELECTIVO CON UNA SOLUCIÓN ÁCIDA, PARA ASÍ OBTENER UN ALUMINIO CON AGUJEROS SEMICIRCULARES QUE ESTÁN ORDENADOS HEXAGONALMENTE, Y LUEGO OBTENER UN SUBSTRATO DE ALUMINIO METÁLICO QUE ESTÁ GRABADO CON NANOVALLES SEMICIRCULARES ORDENADOS HEXAGONALMENTE; DONDE DICHA SOLUCIÓN ELECTROLÍTICA SE SELECCIONA DE ÁCIDO SULFÚRICO, ÁCIDO OXÁLICO O ÁCIDO FOSFÓRICO, Y DICHA SOLUCIÓN ÁCIDA ES UNA MEZCLA DE ÁCIDO CRÓMICO, ÁCIDO FOSFÓRICO Y H20; NANOMODULAR UNA PELÍCULA METÁLICA USANDO EL SUBSTRATO DE ALUMINIO GRABADO CON NANOVALLES OBTENIDO EN LA ETAPA A), AL EVAPORAR SOBRE DICHO SUBSTRATO UN METAL SELECCIONADO DEL GRUPO CONSISTENTE DE AU, CU O AG PARA GENERAR UNA PELÍCULA METÁLICA QUE LUEGO SE DESPEGARA, Y DONDE LA EVAPORACIÓN DEL METAL QUE SE DEPOSITA, SE REALIZA MEDIANTE PULVERIZACIÓN CATÓDICA EN ALTO VACÍO, Y DONDE PARA ASEGURAR LA BAJA ADHERENCIA DEL METAL DEPOSITADO SOBRE EL ALUMINIO NANOESTRUCTURADO, SE UTILIZA UNA TASA DE DEPOSICIÓN MUY ALTA, ENTRE 59 Y 127 NM/MIN Y ADEMÁS SE UTILIZA UNA DISTANCIA DE APROXIMADAMENTE DE 5 CM ENTRE EL CAÑÓN Y EL SUBSTRATO; Y RETIRAR LA LÁMINA METÁLICA DEL SUBSTRATO. |
