发明名称 |
Halbleiterspeichervorrichtung und eine solche Halbleiterspeichervorrichtung verwendender Sensor |
摘要 |
Eine Halbleiterspeichervorrichtung, die einen verringerten Stromverbrauch besitzt und bei der gleichzeitig der Stromverbrauch von Decodierern verringert ist. In dieser Halbleiterspeichervorrichtung ist der Drain des Vorladetransistors (90) mit der Datenleitung (30) über einen Y-Schalter (6) verbunden. Die Signale (41) der niedrigstwertigen Bits der Adresse werden in den X-Decodierer (1) eingegeben, um die Wortleitung (10) in der Speicherzellenmatrix (5) zu wählen. Die Signale (42) der höchstwertigen Bits der Adresse werden in den Y-Decodierer (2) eingegeben, um die Y-Schaltsteuersignalleitungen zu wählen. Die Adressen in der Speicherzellenmatrix (5) sind in Richtung der Datenleitungen (30) nacheinander angeordnet.
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申请公布号 |
DE10027097(A1) |
申请公布日期 |
2001.02.22 |
申请号 |
DE20001027097 |
申请日期 |
2000.05.31 |
申请人 |
HITACHI, LTD. |
发明人 |
SAKURAI, KOHEI;YAMAUCHI, TATSUMI;MATSUMOTO, MASAHIRO;MURABAYASHI, FUMIO;YAMADA, HIROMICHI;MIYAZAKI, ATSUSHI;HANZAWA, KEIJI |
分类号 |
G11C16/06;G11C7/10;G11C7/12;G11C8/00;(IPC1-7):G11C8/00;G11C7/00 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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