发明名称 |
Vorrichtung und Verfahren zur Waferheizung |
摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Waferheizung mit einer Heizquelle (20) und Mitteln zur Übertragung der von der Heizquelle erzeugten Wärme auf den Wafer (100). DOLLAR A Erfindungsgemäß sind ein fluides Wärmetransfermedium (30), auf das die von der Heizquelle erzeugte Wärme unter Verdampfen des fluiden Mediums übertragen wird, und ein Festkörper-Wärmetransfermedium (10) vorgesehen, auf das Wärme vom fluiden Medium übertragen wird und das den Wafer hält und Wärme auf ihn überträgt. DOLLAR A Verwendung in der Halbleiterbauelementfertigung.
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申请公布号 |
DE10036001(A1) |
申请公布日期 |
2001.02.22 |
申请号 |
DE20001036001 |
申请日期 |
2000.07.25 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
PARK, CHAN-HOON |
分类号 |
G03F7/38;F28D15/02;G03F7/40;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/324;H05B3/20;H05B3/68;(IPC1-7):C30B33/00;H01L21/312 |
主分类号 |
G03F7/38 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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