| 主权项 |
1.一种电浆蚀刻装置,包括:一反应室,具有一开口,该开口在一上方部分具有平坦之一周围表面;一上电极可结合与分离该反应室,其中该上电极之一内部表面上具有一周围表面,该周围表面平行对应于该开口之该周围表面,其中当一接触窗表面系结合该反应室时,该接触窗表面系位于该开口之该周围表面上;以及一密封构件,安置于该开口之该周围表面,藉以密封该上电极与该反应室,其中该开口之该周围表面系接触至该上电极之该接触表面,藉以密封该上电极与该反应室。2.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻装置,其中该密封构件,更包括:一第一沟槽,其中该密封构件系位在该开口之该周围表面上,藉以包围该开口;一第二沟槽,位于该开口之该周围表面,藉以围绕该开口以隔离该第一沟槽;一第一非导体环结合该第一沟槽,藉以使得该上电极与该反应室之间可获得密封效果;以及一第二导体环结合该第二沟槽,藉以获得密封效果。3.如申请专利范围第2项所述之电浆蚀刻装置,其中从介于该第一沟槽与该第二沟槽之间的该上电极之该接触表面的一内部区域系经过阳极化。4.如申请专利范围第2项所述之电浆蚀刻装置,其中从该上电极之该接触表面的该内部区域系以4-5mm距离该第一沟槽之外侧。5.如申请专利范围第3或4项所述之电浆蚀刻装置,其中该上电极之一外侧阳极化区域之高度系相等于该阳极化宽度,藉以使得进行该上电极之一内表面的阳极化步骤之后,该阳极化区域之高度系相等于该非氧化区域。6.一种电浆蚀刻装置,包括:一反应室,具有一开口,该开口在一上方部分具有一周围表面;一上电极可结合与分离该反应室,其中该上电极之一内部表面上具有一周围表面,该周围表面平行对应于该开口之该周围表面,其中当一接触窗表面系结合该反应室时,该接触窗表面系位于该开口之该周围表面上;以及一第一密封构件,安置于该开口之该周围表面,藉以密封该上电极与该反应室,其中该开口之该接触表面更包括一阳极化区域与一非阳极化区域,该阳极化区域之位置比该第一密封构件远。7.如申请专利范围第6项所述之电浆蚀刻装置,其中更包括具有一导体的第二密封构件,该第二密封构件之位置比该第一密封构件远,该阳极化区域之一端系位于该第一密封构件与该第二密封构件之间。8.如申请专利范围第6项所述之电浆蚀刻装置,其中该阳极化过程系自该上电极之该接触表面距该第一密封构件外侧4-5mm处进行。9.如申请专利范围第6项所述之电浆蚀刻装置,其中该上电极之一外侧阳极化区域之高度系相等于该阳极化宽度,藉以使得进行该上电极之一内表面的阳极化步骤之后;该阳极化区域之高度系相等于该非氧化区域。图式简单说明:第一图A绘示依照本发明之一种电浆蚀刻装置之剖面示意图。第一图B绘示第一图A之电浆蚀刻装置中,上电极系和反应室相分开的部分剖面图。第二图A绘示依照本发明之一较佳实施例在第一图A所示之上电极之一内表面上形成氧化区域之部分剖面图。第二图B绘示依照本发明之一较佳实施例在第二图A图中形成氧化区域之剖面示意图。第三图A绘示依照本发明之另一较佳实施例在第一图A所示之上电极之一内表面上形成氧化区域之部分剖面图。第三图B绘示依照本发明之另一较佳实施例在第三图A中形成氧化区域之剖面示意图。第四图绘示依照本发明在第一图A所示之上电极之一非氧化区域之部分剖面图。第五图绘示依照本发明在第一图A中形成沟槽之剖面示意图。 |
