发明名称 压电陶瓷组成物与制造压电陶瓷的方法
摘要 添加Mo副成份到包含Pb、Zr、Ti与O之压电陶瓷组成物的基本成份,其含量以重量计,以MOO3来换算,相对于基本成份的量而言,约从0.06%到约5.0%。副成份最好加到煆烧过的基本成份,并且把所得之混合物拿去烧,以得出烧结的压电陶瓷组成物。添加副成份改善了压电陶瓷组成物的低温烧结性,而组成物的压电特性没有变差。
申请公布号 TW423171 申请公布日期 2001.02.21
申请号 TW087101909 申请日期 1998.02.12
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 堀川 胜弘;安藤 阳
分类号 H01L41/18 主分类号 H01L41/18
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种压电陶瓷组成物,其包括了一包含Pb、Zr、Ti与O的主成份与一含Mo的添加物,其中该含Mo添加物的量以重量计,以MoO3来换算,相对于该主成份的量而言,约从0.06%到约5.0%。2.如申请专利范围第1项的压电陶瓷组成物,其中该含Mo添加物的量以重量计,以MoO3来换算,相对于该主成份的量而言,约从0.1%到约2.0%。3.如申请专利范围第2项的压电陶瓷组成物,其中该添加物为MoO3。4.如申请专利范围第3项的压电陶瓷组成物,其中该主成份为一已煆烧的成份。5.如申请专利范围第3项的压电陶瓷组成物,其中该主成份为一未煆烧的成份。6.如申请专利范围第2项的压电陶瓷组成物,其中该主成份为一已煆烧的成份。7.如申请专利范围第2项的压电陶瓷组成物,其中该主成份为一未煆烧的成份。8.如申请专利范围第1项的压电陶瓷组成物,其中该主成份为一已煆烧的成份。9.如申请专利范围第1项的压电陶瓷组成物,其中该主成份为一未煆烧的成份。10.如申请专利范围第1项的压电陶瓷组成物,其中该添加物为MoO3。11.一种制造压电陶瓷的方法,其包括的步骤有:结合包含Pb、Zr、Ti与O之压电主成份的陶瓷粉末;与一含Mo的添加物,使得该添加物的量在所得之混合物中,以重量计,以MoO3来换算,相对于该主成份的量而言,约从0.06%到约5.0%。12.如申请专利范围第11项的制造压电陶瓷的方法,其中该Mo添加物的量以重量计,以MoO3来换算,相对于该主成份的量而言,约从0.1%到约2.0%。13.如申请专利范围第12项的制造压电陶瓷的方法,其中该Mo添加物为MoO3。14.如申请专利范围第13项的制造压电陶瓷的方法,其中该结合是烧成的。15.如申请专利范围第14项的制造压电陶瓷的方法,其中该陶瓷粉末为一煆烧过的粉末。16.如申请专利范围第11项的制造压电陶瓷的方法,其中该Mo添加物为MoO3。17.如申请专利范围第16项的制造压电陶瓷的方法,其中该结合是烧成的。18.如申请专利范围第17项的制造压电陶瓷的方法,其中该陶瓷粉末为一煆烧过的粉末。19.如申请专利范围第11项的制造压电陶瓷的方法,其中该结合是烧成的。20.如申请专利范围第19项的制造压电陶瓷的方法,其中该陶瓷粉末为一煆烧过的粉末。图式简单说明:第一图显示范例1中表1之样品A-1到A-9的烧成温度与那些样品之体密度的关系。第二图显示范例1中表2之样品B-1到B-9的烧成温度与那些样品之体密度的关系。第三图显示基本成份煆烧之后或之前添加MoO3的两样品A-4的烧成温度与那些样品之体密度的关系。
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