| 主权项 |
1.一种可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其包含之步骤有:a)改变离子植入程序之特定程序条件,在要植入离子之样品上面,照射一雷射光束,而自其光热响应测得之每一结果値,计数一复数转换系数;b)就每一依据其程序条件变化之复数转换系数値,使彼等复数转换系数之特定参数线性化;以及c)基于上述依据彼等程序条件之变化加以线性化的特定参数,来监控其离子植入程序之特定程序条件的变化。2.如申请专利范围第1项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中之离子植入程序受到改变之特定程序条件,系离子之剂量。3.如申请专利范围第1项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中之离子植入程序受到改变之特定程序条件,系离子之能量。4.如申请专利范围第1项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中经过线性化之复数转换系数的特定参数,系一复数座标上面各复数转换系数之每一指示点间的距离。5.如申请专利范围第4项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中可依据其程序条件之变化,使每一复数转换系数之特定参数线性化的步骤b)所包含之步骤有:b1)在一复数座标上面,指定每一复数转换系数;b2)在该复数座标上面,侦测彼等复数转换系数之每一指示点间的轨迹;b3)响应该等程序条件之变化,计数每一指示点间之轨迹的移动距离;以及b4)响应一曲线上面之程序条件的变化,指定每一指示点间之轨迹的移动距离。6.如申请专利范围第5项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中侦测彼等复数转换系数之每一指示点间之轨迹的步骤,在执行上是将在上述复数座标上面所指定之每一复数转换系数的指示点(实数部分,虚数部分),转换成一对应至一直角座标上面之直角座标値(X,Y)。7.如申请专利范围第5项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中计数彼等轨迹之移动距离的步骤,在完成上是藉着设定一对应于上述经过改变之程序条件其初始条件之初始値,以及藉着将此初始値与移动距离之增加値相加,来计数上述轨迹依据每一程序条件之变化的移动距离。8.如申请专利范围第1项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之方法,其中显示为一曲线之轨迹的距离,系指定为一一次函数,其具有可依据程序条件而变化之一一对应关系。9.一种可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之装置,其中之离子植入样品,系受到一雷射光束之照射,该监控装置包含:一可测量一出自离子植入样品之光热响应的测量部分;一可自该测量部分测得之多数结果値计数出一复数转换系数的复数转换系数计数模组;一可就上述依据离子植入程序之程序条件的方差,使其每一复数转换系数有关之复数转换系数的特定参数线性化之线性化模组;以及一可基于上述经由线性化模组加以线性化之特定参数,显示其离子植入程序之特定程序条件的变化的显示部分。10.如申请专利范围第9项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之装置,其中之离子植入程序受到改变之特定程序条件,系植入离子之剂量。11.如申请专利范围第9项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之装置,其中之离子植入程序受到改变之特定程序条件,系植入离子之能量。12.如申请专利范围第9项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之装置,其中之离子植入程序受到改变之特定程序条件,系每一指示点之轨迹的移动距离。13.如申请专利范围第12项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之装置,其中之线性化模组所包含之步骤有:a)在一复数座标上面,指定每一复数转换系数;b)在该复数座标上面,侦测彼等复数转换系数之每一指示点的轨迹;c)计数在上述依据程序条件之方差的轨迹上面,彼等复数转换系数之指示点的移动距离;以及d)将上述依据程序条件之方差所得轨迹上面之指示点的移动距离,表示成一曲线图形。14.如申请专利范围第13项所述之可利用离子植入样品之光热响应来监控离子植入程序之装置,其中侦测彼等复数转换系数之每一指示点轨迹的步骤,在执行上是将在上述复数座标上面所指定之每一复数转换系数的指示点(实数部分,虚数部分),转换成一对应至一直角座标上面之直角座标値(X,Y)。图式简单说明:第一图系一用以显示一调变雷射光束在一离子植入样品上面做扫描之横截面图;第二图系在一复数座标上面所指定之复数转换系数的一个表示图;第三图系一用以显示复数转换系数之相位、幅度、和实数値,分别依据剂量之方差而做变化的表示图;第四图系一用以显示一依本发明所具现、利用光热响应对一离子植入样品之离子植入程序进行监控之方法的程序列;第五图系一用以显示一要依本发明之一实施例,来监控一特定程序条件之分析范围,在一复数座标上面其复数转换系数之轨迹的一个表示图;而第六图则系一用以显示依本发明之一实施例,彼等轨迹之移动距离与植入离子剂量之方差间之关联的一个表示图。 |
