| 主权项 |
1.一种在半导体晶圆上沉积薄膜的装置,包括:一反应器,维持在一定气压;于该反应器提供反应气体的至少两个反应气体供给部位;将气体排出该反应气体供给部位及/或该反应器的一排气泵浦;安装在每一反应气体供给部位与该反应器之间的第一流量阀,以控制该反应气体供给部位与该反应器间气体流量;安装在一反应气体供给部位与该排气泵浦之间的第二流量阀,以控制该反应气体供给部位与该排气泵浦间气体流量;一钝气共给部位,以将一钝气供入该反应器;反应气体管线,其中由该反应气体供给部位所提供的反应气体由过该反应气体管线流到该反应器以及/或该排气泵浦;一钝气管线,其中由该钝气供给部位所提供的该钝气经过该钝气管线流到该反应器;以及安装在反应气体管线以及/或该钝气管线的复数个阀,以控制反应气体以及钝气流入该反应器以及/或该排气泵浦的流量。2.如申请专利范围第1项所述的装置,其中该第一与第二流量控制阀是计量阀或控制阀,系安装在该反应气体供给部位与该反应器间之阀之前,以及在该反应气体供给部位与该排气泵浦间。3.如申请专利范围第1项所述的装置,其中更包括一第三流量控制阀,系安装在该钝气供给部位与该反应器之间,以控制该钝气供给部位与该反应器之间的该钝气流量。4.如申请专利范围第3项所述的装置,其中该第三流量控制阀是一计量阀或一控制阀安装在置于该钝气供给部位与该反应器间的阀之前。5.如申请专利范围第1项所述的装置,其中更包括分流管线与放置在该钝气供给部位与该反应气体管线间的阀之两端连接,以使钝气缓慢的流过反应气体管线。6.如申请专利范围第5项所述的装置,其中该分流管线具有一内直径大约0.1至0.5毫米。7.如申请专利范围第6项所述的装置,其中该分流管线具有一长度大约15至25毫米。8.如申请专利范围第2项所述的装置,其中更包括分流管线与放置在该钝气供给部位与该反应气体管线间的阀之两端连接,而使钝气缓慢的流过反应气体管线。9.如申请专利范围第8项所述的装置,其中该分流管线具有一内直径大约0.1至0.5毫米。10.如申请专利范围第9项所述的装置,其中该分流管线具有一长度大约15至25毫米。图式简单说明:第一图是绘示了以连续气体注射在半导体晶圆上沉积薄膜的装置之管线图;以及第二图是根据本发明绘示了以连续气体注射在半导体晶圆上沉积薄膜的装置之管线图。 |
