发明名称 接触构造之封装和互接
摘要 一种接触构造之封装及互接,构制有:一接触构造,为导电性材料所制,并经由照相制版方法构制于一接触基体上,该接触构造;一接触踪迹,构制于接触基体上,且在一端处电连接至接触构造,接触踪迹之另一端向接触基体之一边缘延伸;一印刷电路板(P C B)垫,设置于欲与接触踪迹之另一端连接之印刷电路板(P C B)基体上﹔一弹性体,设置于接触基体下面,使该互接及封装可挠曲﹔及一支持结构,设置于弹性体及P C B基体之间,用以支持接触构造,接触基体,及弹性体。
申请公布号 TW423121 申请公布日期 2001.02.21
申请号 TW088115853 申请日期 1999.09.14
申请人 艾德文斯特公司 发明人 马克.琼恩;西尔德 卡瑞
分类号 H01L23/00;H01L21/66 主分类号 H01L23/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种接触构造之封装及互接,包含: 一接触构造,为导电性材料所制,并经由照相制版 方法构制于一接触基体上,该接触构造具有一基础 部份垂直构制于接触基体上,一水平部份,其一端 构制于基础部份上,及一接触部份垂直构制于水平 部份之另一端上; 一接触踪迹,构制于接触基体上,且在一端处电连 接至接触构造,接触踪迹之另一端向接触基体之一 边缘延伸; 一印刷电路板(PCB)垫,设置于欲与接触踪迹之另一 端连接之印刷电路板(PCB)基体上; 一弹性体,设于接触基体下面,使该互接及封装可 挠曲;及 一支持结构,设置于弹性体及PCB基体之间,用以支 持接触构造,接触基体,及弹性体。2.如申请专利范 围第1项所述之接触构造之封装及互接,其中,接触 基体为矽基体,接触构造经由照相制版方法直接构 制于其上。3.如申请专利范围第1项所述之接触构 造之封装及互接,其中,接触基体为介质基体,接触 构造经由照相制版方法直接构制于其上。4.如申 请专利范围第1项所述之接触构造之封装及互接, 其中,接触踪迹为导电性材料所制,且经由沉积,蒸 发,溅散,或涂镀方法构制。5.如申请专利范围第1 项所述之接触构造之封装及互接,其中,PCB基体为 玻璃环氧树脂或陶瓷所制。6.如申请专利范围第1 项所述之接触构造之封装及互接,其中,PCB基体为 多层印刷电路板。7.如申请专利范围第1项所述之 接触构造之封装及互接,其中,支持结构为陶瓷,棤 造之塑胶,或金属所制。8.如申请专利范围第1项所 述之接触构造之封装及互接,其中,接触踪迹之另 一端及PCB垫间之电连接由线黏接或焊接建立。9. 如申请专利范围第1项所述之接触构造之封装及互 接,其中,接触踪迹之另一端为欲电连接至PCB垫之 鸥冀引线所构成。10.如申请专利范围第1项所述之 接触构造之封装及互接,其中,接触踪迹之另一端 为一鸥冀引线所构成,具有其一端部大致平行于PCB 垫之表面。11.如申请专利范围第1项所述之接触构 造之封装及互接,其中,接触踪迹之另一端由至少 二鸥冀引线所构成,欲电连接至PCB基体上所设置之 对应PCB垫上。12.如申请专利范围第11项所述之接 触构造之封装及互接,其中,该至少二鸥冀引线在 大致垂直关系上相互对齐。13.如申请专利范围第1 项所述之接触构造之封装及互接,其中,接触踪迹 之另一端为欲电连接至PCE垫上之一J线所构成。14. 一种接触构造之封装及互接,包含: 一接触构造,为导电性材料所制,并经由照相版方 法构制于一接触基体上,该接触构造具有一基础部 份垂直构制于接触基体上,一水平部份,其一端构 制于基础部份上,及一接触部份垂直构制于水平部 份之另一端上; 一接触踪迹,构制于接触基体上,且在一端处电连 接至接触构造,接触踪迹之另一端向接触基体之一 边缘延伸; 一连接件,用以接受接触踪迹之另一端,以建立其 间之电连接; 一弹性体,设置于接触基体下面,使该互接及封装 可挠曲;及 一支持结构,设置于弹性体下面,用以支持接触构 造,接触基体,弹性体,及连接件。15.如申请专利范 围第14项所述之接触构造之封装及互接,其中,接触 基体为矽基体,接触构造经由照相制版方法直接构 制于其上。16.如申请专利范围第14项所述之接触 构造之封装及互接,其中,接触基体为介质基体,接 触构造经由照以制版方法直接构制于其上。17.如 申请专利范围第14项所述之接触构造之封装及互 接,其中,接触踪迹为导电性材料所制,且经由沉积, 蒸发,溅散,或涂镀方法构制。18.如申请专利范围 第14项所述之接触构造之封装及互接,其中,支持结 构为陶瓷,模造之塑胶,或金属所制。19.如申请专 利范围第14项所述之接触构造之封装及互接,其中, 接触踪迹之另一端为欲电连接至连接件之鸥冀引 线所构成。20.如申请专利范围第14项所述之接触 构造之封装及互接,其中,接触踪迹之另一端为一 鸥冀引线所构成,其一端部大致平行于支持结构。 21.如申请专利范围第14项所述之接触构造之封装 及互接,其中,接触踪迹之另一端由至少二鸥冀引 线所构成,欲电连接至连接件之对应插座。22.如申 请专利范围第21项所述之接触构造之封装及互接, 其中,该至少二鸥冀引线在大致垂直关系上相互对 齐。23.一种接触构造之封装及互接,包含: 一接触构造,为导电性材料所制,并经由照相版方 法构制于一接触基体上,该接触构造具有一基础部 份垂直构制于接触基体上,一水平部份,其一端构 制于基础部份上,及一接触部份垂直构制于水平部 份之另一端上; 一接触踪迹,构制于接触基体上,且在一端处电连 接至接触构造,接触踪迹之另一端向接触基体之一 边缘延伸; 一印刷电路板(PCB)垫,设置于欲与接触踪迹之另一 端连接之印刷电路板(PCB)基体上; 一导电性丘,设置于接触踪迹之另一端及PCB垫之间 ,以建立其间之电连接; 一弹性体,设置于接触基体下面,使该互接及封装 可挠曲;及 一支持结构,设置于弹性体及PCB基体之间,用以支 持接触构造,接触基体,及该弹性体。24.如申请专 利范围第23项所述之接触构造之封装及互接,其中, 接触基体为矽基体,接触构造经由照相制版方法直 接构制于其上。25.如申请专利范围第23项所述之 接触构造之封装及互接,其中,接触基体为介质基 体,接触构造经由照相制版方法直接构制于其上。 26.如申请专利范围第23项所述之接触构造之封装 及互接,其中,接触踪迹为导电性材料所制,且经由 沉积,蒸发,溅散,或涂镀方法构制。27.如申请专利 范围第23项所述之接触构造之封装及互接,其中,PCB 基体为玻璃环氧树脂或陶瓷所制。28.如申请专利 范围第23项所述之接触构造之封装及互接,其中,PCB 基体为多层印刷电路板。29.如申请专利范围第23 项所述之接触构造之封装及互接,其中,支持结构 为陶瓷,模造之塑胶,或金属所制。30.如申请专利 范围第23项所述之接触构造之封装及互接,其中,导 电性丘为焊料球,此由加热回流,以电连接接触踪 迹之另一端及PCB垫。31.如申请专利范围第23项所 述之接触构造之封装及互接,其中,导电性丘为导 电性聚合物丘或顺从丘,用以电连接接触踪迹之另 一端及PCB垫。32.如申请专利范围第23项所述之接 触构造之封装及互接,其中,接触踪迹之另一端为 欲电连接至PCB垫之鸥冀引线所构成。33.如申请专 利范围第23项所述之接触构造之封装及互接,其中, 接触踪迹之另一端由至少二鸥冀引线所构成,欲经 由对应之导电性丘电连接至PCB基体上所设置之对 应PCB垫。34.如申请专利范围第33项所述之接触构 造之封装及互接,其中,该至少二鸥冀引线在大致 垂直关系上相互对齐。35.如申请专利范围第23项 所述之接触构造之封装及互接,其中,接触踪迹之 另一端为欲经由导电性丘电连接至PCB垫上之一J引 线所构成。36.一种接触构造之封装及互接,包含: 一接触构造,为导电性材料所制,并经由照相版方 法构制于一接触基体上,该接触构造具有一基础部 份垂直构制于接触基体上,一水平部份,其一端构 制于基础部份上,及一接触部份垂直构制于水平部 份之另一端上; 一接触踪迹,构制于接触基体上,且在一端处电连 接至接触构造,接触踪迹之另一端向接触基体之一 边缘延伸; 一印刷电路板(PCB)垫,设置于欲与接触踪迹之另一 端连接之印刷电路板(PCB)基体上; 一导电性聚合物,设置于接触踪迹之另一端及PCB垫 之间,用以建立其间之电连接; 一弹性体,设置于接触基体下面,使该互接及封装 可挠曲;及 一支持结构,设置于弹性体及PCB基体之间,用以支 持接触构造,接触基体,该弹性体。37.如申请专利 范围第36项所述之接触构造之封装及互接,其中,接 触基体为矽基体,接触构造经由照相制版方法直接 构制于其上。38.如申请专利范围第36项所述之接 触构造之封装及互接,其中,接触基体为介质基体, 接触构造经由照相制版方法直接构制于其上。39. 如申请专利范围第36项所述之接触构造之封装及 互接,其中,接触踪迹为导电性材料所制,且经由沉 积,蒸发,溅散,或涂镀方法构制。40.如申请专利范 围第36项所述之接触构造之封装及互接,其中,PCB基 体为玻璃环氧树脂或陶瓷所制。41.如申请专利范 围第36项所述之接触构造之封装及互接,其中,PCB基 体为多层印刷电路板。42.如申请专利范围第36项 所述之接触构造之封装及互接,其中,支持结构为 陶瓷,模造之塑胶,或金属所制。43.如申请专利范 围第36项所述之接触构造之封装及互接,其中,导电 性聚合物为导电性黏着剂,导电性薄膜,导电性糊, 导电性微粒。44.如申请专利范围第36项所述之接 触构造之封装及互接,其中,导电性聚合物为导电 性弹性体,包含各向异性导电性黏着剂,各向异性 导电性薄膜,各向异性导电性糊浆,或各向异性导 电性微粒,用以电电连接接触踪迹之另一端及PCB垫 。45.如申请专利范围第36项所述之接触构造之封 装及互接,其中,接触踪迹之另一端为欲电连接至 PCB垫之鸥冀引线所构成。46.如申请专利范围第36 项所述之接触构造之封装及互接,其中,接触踪迹 之另一端由鸥冀引线构成,其一端部大致平行于PCB 垫之表面。47.如申请专利范围第36项所述之接触 构造之封装及互接,其中,接触踪迹之另一端由至 少二鸥冀引线所构成,欲经由对应之导电性聚合物 电连接至PCB基体上所设置之对应PCB垫上。48.如申 请专利范围第36项所述之接触构造之封装及互接, 其中,该至少二鸥冀引线在大致垂直关系上相互对 齐。49.如申请专利范围第36项所述之接触构造之 封装及互接,其中,接触踪迹之另一端为欲经由导 电性聚合物电连接至PCB垫上之一J引线所构成。图 式简单说明: 第一图为概要图,显示基体处理器及具有测试头之 半导体测试系统间之结构关系。 第二图为概要图,显示用以连接半导体测试系统之 测试头于基体处理器之详细结构之例。 第三图为底视图,显示探针卡之一例,具有环氧树 脂环用以安装多条悬臂如探针接触器。 第四图A-第四图E为电路图,显示第三图之探针卡之 等效电路。 第五图为概要图,显示由照相制版方法生产之本发 明有关之接触构造。 第六图A-第六图C为概要图,显示构制于矽基体上之 本发明有关之接触构造。 第七图为概要图,显示本发明之一第一实施例,其 中,封装及互接构制于接触结构之边缘处所设置之 接触踪迹及印刷电路板之互接垫之间。 第八图为概要图,显示本发明之第一实施例之修改 之结构。 第九图为概要图,显示本发明之第一实施例之另一 修改之结构。 第十图为概要图,显示本发明之第一实施例之另一 修改之结构。 第十一图为概要图,显示本发明之一第二实施例, 其中,封装及互接构制于接触构造之边缘处所设置 之接触踪迹及一连接件之间。 第十二图为概要图,显示本发明之第二实施例之一 修改之结构。 第十三图为概要图,显示本发明之一第三实施例, 其中,封装及互接经由导电性丘构制于接触构造之 边缘处所设置之接触踪迹及印刷电路板之互接垫 之间。 第十四图为概要图,显示本发明之第三实施例之一 修改之结构。 第十五图为概要图,显示本发明之第三实施例之另 一修改之结构。 第十六图为概要图,显示本发明之第三实施例之另 一修改之结构。 第十七图为概要图,显示本发明之一第四实施例, 其中,封装及互接经由导电性聚合物构制于接触构 造之边缘处所设置之接触踪迹及印刷电路板之互 接垫之间。 第十八图为概要图,显示本发明之第四实施例之一 修改之结构。 第十九图为概要图,显示本发明之第四实施例之另 一修改之结构。 第二十图为概要图,显示本发明之第四实施例之另 一修改之结构。
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