| 主权项 |
1.一种支持单晶之方法,系属于以Czochralski法支持 单晶之方法,其特征所包含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 ;及 机械地支持晶体一部使晶体重量(Wkg)满足以下数 式(1): W<12.5D2/4 (1) D代表颈部最小直径(mm)。2.一种支持单晶之方法, 系属于以Czochalski法支持单晶之方法,其特征所包 含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 受支持晶体部之温度等于或小于550℃后机械地支 持晶体一部。3.如申请专利范围第1项之支持单晶 之方法,其中受支持晶体部之温度等于或小于550℃ 后机械地支持晶体。4.如申请专利范围第1项之支 持单晶之方法,其中调整受支持晶体部下端与晶体 本体间距离而满足数式(1)。5.如申请专利范围第2 项之支持单晶之方法,其中调整受支持晶体部下端 与晶体本体间距离而使受支持晶体部之温度等于 或小于550℃。6.如申请专利范围第3项之支持单晶 之方法,其中调整受支持晶体部下端与晶体本体间 距离而满足公式(1)并使受支持晶体之温度等于或 小于550℃。7.一种生长单晶之方法,系属于以 Czochalski法生长单晶之方法,其特征所包含之步骤 为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 根据申请专利范围第1项之方法机械地支持部份晶 体。8.一种生长单晶之方法,系属于以Czochalski法生 长单晶之方法,其特征所包含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 根据申请专利范围第2项之方法机械地支持部分晶 体。9.一种生长单晶之方法,系属于以Czochalski法生 长单晶之方法,其特征所包含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 根据申请专利范围第3项之方法机械地支持部份晶 体。10.一种生长单晶之方法,系属于以Czochaiski法 生长单晶之方法,其特征所包含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 根据申请专利范围第4项之方法机械地支持晶体一 部。11.一种生长单晶之方法,系属于以Czochalski法 生长单晶之方法,其特征所包含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 根据申请专利范围第5项之方法机械地支持部份晶 体。12.一种生长单晶之方法,系属于以Czochalski法 生长单晶之方法,其特征所包含之步骤为: 转动时拉引与材料熔化物接触之种晶,以生长单晶 :及 根据如申请专利范围第6项之方法机械地支持部份 晶体。13.如申请专利范围第1项之支持单晶之方法 ,其中生长之晶体为矽单晶。14.如申请专利范围第 2项之支持单晶之方法,其中生长之晶体为矽单晶 。15.如申请专利范围第3项之支持单晶之方法,其 中生长之晶体为矽单晶。16.如申请专利范围第7项 之生长单晶之方法,其中生长之晶体为矽单晶。17. 如申请专利范围第8项之生长单晶之方法,其中生 长之晶体为矽单晶。18.如申请专利范围第9项之生 长单晶之方法,其中生长之晶体为矽单晶。图式简 单说明: 第一图说明根据本发明单晶拉引方法拉引晶体一 例; 第二图显示对本发明中进行之颈部拉伸测试之示 意图:及 第三图A及第三图B分别说明习知Czochraiski法及习知 支持晶体方法。 |
